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标签:动态功率

许多小旋钮的权力
通过安Mutschler- 2017年11月9日-评论:3

随着越来越多的finfet被封装在芯片上，并且导线收缩到电阻和电容成为一阶效应的程度，动态功率在新节点上成为一个更大的担忧。芯片制造商开始发现第一代[getkc id="185" kc_name=" finfts "]的动态功率密度问题。而三维晶体管结构通过提供更好的栅极控制降低了泄漏电流…»阅读更多

制造更快的芯片
通过埃德·斯珀林- 2016年7月21日-意见:5

物联网传感器数据的爆炸式增长，深度学习和人工智能的出现，以及增强现实和虚拟现实的商业推广，正在推动人们重新对性能作为半导体设计的关键指标产生兴趣。在过去的十年中，移动/智能手机主导了芯片设计，功耗取代了性能成为首要驱动因素。处理器哈…»阅读更多

高管洞察:格兰特•皮尔斯
通过埃德·斯珀林- 2016年6月29日-评论:0

Sonics总裁兼首席执行官Grant Pierce接受了Semiconductor Engineering的采访，讨论了提高soc能效的新方法。以下是那次谈话的节选。SE:放眼半导体行业，现在有很多变化正在发生。在你看来，最大的影响是什么?皮尔斯:被捕获或发送的数据量…»阅读更多

近门槛计算
通过布莱恩•贝利- 2016年6月16日-评论:2

物联网(IoT)的出现引起了人们对极低功耗设计需求的大量关注，而这反过来又增加了降低电压的压力。在过去，每一个新的工艺节点都缩小了特征尺寸并降低了标称工作电压。这导致了功耗的下降。然而，在90nm左右，情况发生了两种变化. ...»阅读更多

使用PowerPro降低动态功率的介绍
通过Mentor是西门子旗下的企业- 2016年6月14日-评论:0

在许多公司，节能的工作都留给了电力专家。这些专家已经积累了多年的知识和方法，并在他们的团队中反复应用到设计中。这种方法非常狭窄，不能跨公司的多个组进行扩展。公司已经开始意识到这种方法的局限性。越来越多的RTL设计师正在被任务…»阅读更多

绘制下一个半导体路线图
通过埃德·斯珀林- 2016年6月13日-评论:0

随着摩尔定律(Moore’s Law)越来越难以维持，以及智能手机的增长率继续趋平，半导体行业正在围绕新技术和新市场收缩。在过去，推进到下一个流程节点将在功率、性能和成本方面提供改进是肯定的。但在22nm之后，由于对多模式和finfet的需求，经济状况发生了变化。»阅读更多

“降低动态功率简介”
通过艾莉烧伤- 2016年4月14日-评论:0

在过去的几篇博客中，我们主要讨论了UPF和应用逐次细化过程来节省电力。但是，这个过程解决了漏电问题。在这节课中，我们想谈谈如何节省动态功率。随着设计转向finFET技术，动态功率是功耗的主要贡献者。功耗趋势。我最近和我的c…»阅读更多

2016年及以后
通过克里希纳Balachandran- 2015年12月10日-意见:0

希腊神话和罗马历史上充满了占卜者，他们中有些人是对的，有些人是错的。卡桑德拉被诅咒了，她的预测不会被相信，即使她预测了特洛伊木马。凯撒的占卜师在3月15日预言了凯撒大帝的死亡，凯撒本人对此表示怀疑，但实际上他在3月15日之前就被谋杀了. ...»阅读更多

技术讲座:14nm和堆叠芯片
通过埃德·斯珀林- 2015年11月11日-评论:0

GlobalFoundries ASIC业务部营销总监Aashish Malhotra介绍了14nm工艺技术、IP生态系统，以及为什么该技术节点将被用作2.5D和3D堆叠芯片的平台，应用于包括物联网在内的广泛市场。[youtube视频= ukTRuedB7ZU]»阅读更多

RTL功率分析:智能综合架构
通过Anand艾耶- 2015年8月13日-评论:0

传统上，RTL功率分析用于了解设计功耗，以便开始封装和电源设计，然后设计人员可以在后续设计迭代中修复任何功率回归违规。然而，迁移到finFET进程导致设计人员在高级节点上以不同的方式看待RTL功率分析。FinFET过程在很大程度上解决了……»阅读更多

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