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finfet功率设计策略
Anand艾耶
(所有的帖子)
Anand Iyer是Calypto公司低功耗平台的营销总监。
作者最新文章
finfet功率设计策略
通过
Anand艾耶
- 2015年9月11日-评论:0
最近,高通发布了他们的新款骁龙处理器820,该处理器采用了finFET技术。他们展示了一些惊人的结果,例如与28nm设计相比,性能提高了2倍,功耗提高了2倍。此前,当ARM宣布他们的finFET A72处理器时,他们也声称与28nm设计相比,功耗提高了3.5倍。但设计师们能指望……
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RTL功率分析:智能综合架构
通过
Anand艾耶
- 2015年8月13日-评论:0
传统上,RTL功率分析用于了解设计功耗,以便开始封装和电源设计,然后设计人员可以在后续设计迭代中修复任何功率回归违规。然而,迁移到finFET进程导致设计人员在高级节点上以不同的方式看待RTL功率分析。FinFET过程在很大程度上解决了……
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低功耗微架构设计
通过
Anand艾耶
- 2015年5月14日-意见:0
随着设计转移到finFET工艺节点,动态功耗降低已成为一种需求。为了减少设计中的动态功率,设计人员必须消除或最小化所有冗余开关活动的来源。在上一篇博客中,我们讨论了由于冗余加法器和乘法器而造成的动态功耗损耗,以及如何对这些运算符进行门化以节省功耗。我们也提到了一些m…
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低功率悖论
通过
Anand艾耶
- 2015年3月13日-意见:0
在相当长的一段时间里,功率一直是一个重要的设计挑战。泄漏功率在90nm开始增长,到了65nm就成了一个严重的设计问题。我们已经建立了许多技术来解决泄漏,最显著的是电源门控。这些技术是复杂的,对整个设计有影响。FinFET技术被视为解决泄漏问题的福音。有文献表明qu…
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2015年(低)功率预测
通过
Anand艾耶
- 2015年1月15日-意见
新年快乐!当我们步入新的一年,许多令人兴奋的事情已经开始了。首先,正如上周在CES上所见证的那样,物联网(IoT)正在以一种大的方式形成。可以相互交谈和共享信息的设备的进步正在成为现实。汽车应用、医疗设备、工业自动化、能源分配和娱乐都是一个…
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低功耗设计:RTL功率分析
通过
Anand艾耶
- 2014年9月11日-评论:0
在上个月的博客中,我们讨论并比较了各种动力技术。图1简要介绍了这些功率技术。在两者之间进行选择通常是相当具有挑战性的。在RTL设计过程中需要选择这些技术。在RTL,设计人员需要一个功率分析解决方案来指导他们使用正确的设计技术。在这个月的博客中,我们将回顾…
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LP SoC设计(二
通过
Anand艾耶
- 2014年7月16日-意见:0
在我的上一篇博客中,我谈到了为什么设计师需要重新思考他们的低功耗设计方法,并介绍了粗粒度和细粒度的低功耗技术。在这篇博客中,我将比较和对比这些技术。低功耗设计技术可分为两类:粗功耗和细功耗。总体技术不依赖于设计或过程。技术,如力量…
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低功耗SoC设计
通过
Anand艾耶
- 2014年5月8日-评论
在过去的十年中,功率已经成为所有SoC设计的主要设计约束。由于电池方面的考虑,移动市场开始降低功耗,但由于冷却成本,它很快就变得对电力线应用同样重要。今天,cpu为其所运行的市场定义了一种称为热设计功率(TDP)的功率约束。其中一个定义是。
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