仅仅因为你迁移到finFET过程并不意味着你得到预期的结果。
权力是一个重要的设计挑战持续很长一段时间。开始生长在90海里,漏电功耗和65海里它变成了一个严重的设计问题。
我们已经建立了许多技术来解决泄漏,尤其是权力控制。这些技术是复杂的,影响设计作为一个整体。FinFET技术被视为有利于这一问题的泄漏。有引用这句话漏平面晶体管相比已经减少了60%。这是否意味着低功率不是重点了?我们可以放弃所有的低功耗技术随着时间的推移我们已经构建了?
没有那么快。为了回答这些问题,让我们来看一个例子的设计。假设这是在一些non-finFET过程和有一个单位的权力泄漏。认为权力的动态功率组件是9单位泄漏动态(90%和10%)。现在假设芯片是活跃在10%的时间和空闲模式中剩余的时间。我们可以简单的做数学和计算出的总功率为1.8单位的权力。的,权力是平均分布在主动模式权力和空闲模式电力(0.9单位)。这是使用减少泄漏技术的原因在这个节点。
现在,如果finFET的芯片的设计过程中,漏下降60%至0.3个单位。由于门增加电容和电压不扩展流程(参考),让我们假定动态功率上升了25%。动态功率是11.25单位的权力。如果你认为芯片的活动配置文件没有改变,那么总功率约为1.48单位,这是权力non-finFET过程相比低18%。如果我们检查单个组件,有功功率的贡献是76%,空载功率的贡献仅为24%。而空闲模式的能力大幅下降了78%至0.36个单位,动态功率发电机组增加了52%,至1.13。
这个分析的结论是什么?采用finFET过程还原能力是一种有效的方法。而是扔掉所有的低功耗技术由之前的流程,重点应该放在降低动态功率,因为它已经成为总功率的主要组件。动态功率降低需要深入了解设计和消除不必要的活动,并不能促进功能。现在,到底有谁能够推动这种活动的项目团队是最好的?
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