标签:双波纹的过程

打破了2 nm障碍
通过马克LaPedus- 2月18日,2021 -评论:4

芯片制造商继续进步与晶体管技术的最新流程节点,但这些结构中的互联正在努力跟上。芯片行业正在几个技术解决互连的瓶颈,但许多这些解决方案还在研发,不得出现有一段时间了,可能直到2 nm,预计t…»阅读更多

马朗戈尼有效,在一个双波纹Via-First方法
通过布鲁尔科学- 2月17日,2021 -评论:0

的主要挑战之一双波纹(DD) via-first过程的控制临界尺寸(CDs)光刻的战壕。光致抗蚀剂(PhR)厚度呈现变化通过数组的开放区域,导致CDs的变化:摆动的效果。DD via-first的整平过程报告。一个双层的解决方案用于对朱元璋……»阅读更多

处理芯片的阻力
通过马克LaPedus- 6月21日,2018 -评论:2

芯片制造商继续规模晶体管在高级节点,但他们正努力保持同样的速度与其他两个开头接触和互联的关键部分。然而,一切都开始改变了。事实上,在10 nm / 7海里,芯片制造商正在引入新的拓扑结构和材料,如钴,承诺提高性能和减少不必要的抵抗……»阅读更多

在10纳米和7纳米BEOL问题
通过埃德·斯珀林——1月31日,2017 -评论:0

半导体工程坐下来讨论问题的线在前沿和克雷格的孩子节点,高级经理、副主任(getentity id = " 22819 " e_name = " GlobalFoundries”]先进技术开发集成单元;高级技术总监保罗•贝瑟(getentity id = " 22820 "评论=“研究”);首席技术官David炸(getentity id = " 22210 " e_name……»阅读更多

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