标签:缺陷检查

小说电子束技术检查和监控
通过PDF的解决方案2022年5月- 09年-评论:0

在本文中,我们报告一个先进的电子束缺陷检查工具(eProbe®250)和Design-for-Inspection™(DFI)系统已经被PDF构建和部署解决方案4海里FinFET技术节点。这个工具有一个非常高的吞吐量,允许内联检验纳米级缺陷的最先进的技术节点。我们还展示了eProbe申请…»阅读更多

解决沛富衬底短缺与在线监测
通过韦斯利周- 08年3月,2022 -评论:0

味之素累积电影(沛富)衬底以来,芯片制造的关键组成部分介绍千禧年之前不久。基质与味之素累积电影-绝缘体为复杂电路设计中发现个人电脑、路由器、基站、和服务器。展望未来,沛富衬底市场将继续增长,收入了…»阅读更多

先进的高通量与DirectScan电子束检验
通过PDF的解决方案- 08年3月,2022 -评论:0

光学检验不能解决关键缺陷高级节点,不能探测地下的缺陷。特别是在7海里和下面,许多产量和可靠性杀手缺陷光刻技术之间的相互作用的结果,蚀刻,填补。这些缺陷通常会有一部分失败利率每十亿含量水平。传统eBeam工具缺乏PPB级吞吐量测量失败。一个……»阅读更多

结合不同类型的工厂数据大回报
通过安妮Meixner- 07年12月,2021 -评论:1

收集来自不同生产流程,结合不同的数据类型可以发挥重要作用在改善半导体产量、质量和可靠性,但成功需要集成深度域专家从各种不同的流程步骤和筛选大量的数据分散在全球供应链。半导体制造业IC数据……»阅读更多

发现,预测EUV随机缺陷
通过马克LaPedus- 6月17日,2021 -评论:0

一些厂商推出下一代检验系统和软件,定位有问题的芯片缺陷引起的在极端紫外线(EUV)光刻过程。每个缺陷检测技术包括各种权衡。但必须使用一个或多个他们的工厂。最终,这些所谓的stochastic-induced缺陷引起的EUV可以影响性能…»阅读更多

缓解和表征Hardmask硅材料缺陷
通过布鲁尔科学——3月17日,2021 -评论:0

从数字图书馆学报:在这项研究中,金属污染物,液体粒子计数和薄片上缺陷的Si - HMs监控和过滤去除率来确定滤波器的影响类型,孔隙大小、媒体形态,对过滤性能和清洁。5-nm聚四氟乙烯NTD2过滤器有专用表面处理用于此研究显示缺陷数量最少。作者:Vineet……»阅读更多

最昂贵的缺陷
通过心理契约——7月22日,2015 -评论:0

缺陷检查工具可以是昂贵的。但不管成本的检查工具需要找到一个缺陷,工厂几乎总是更宽裕,如果能找到并修复缺陷内联和行结束时(例如,电气测试和故障分析)。在这里,我们指的是项缺陷一般以前同样的概念也适用于计量测量……»阅读更多

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