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保持权力与钴和性能
通过Mehul奈克——2019年1月24日——评论:0

芯片设计者需要同时改善“PPAC”:功率、性能和面积/成本(图1)。实现这些改进正变得越来越困难,因为经典摩尔定律扩展放缓。我们所需要的是一个新剧本的行业组成的新材料、新结构,新3 d结构内的芯片,缩减特征几何图形的新方法,和先进的p…»阅读更多

变化在10/7nm
通过埃德·斯珀林- 10月18日,2018 -评论:1

副总裁Klaus Schuegraf PDF的新产品和解决方案的解决方案,解释了为什么变化是一个越来越大的挑战高级节点,为什么中间的线现在的一大问题,并通过偏差是由于当一个小变化过程。https://youtu.be/jQfggOnxZJQ»阅读更多

处理芯片的阻力
通过马克LaPedus- 6月21日,2018 -评论:2

芯片制造商继续规模晶体管在高级节点,但他们正努力保持同样的速度与其他两个开头接触和互联的关键部分。然而,一切都开始改变了。事实上,在10 nm / 7海里,芯片制造商正在引入新的拓扑结构和材料,如钴,承诺提高性能和减少不必要的抵抗……»阅读更多

新BEOL /摩尔突破?
通过马克LaPedus- 15,2017 -评论:1

芯片制造商正在推进在先进的晶体管扩展节点,但它变得更加困难。这个行业正在努力保持相同的接触和互联的时间表,这代表了一个更大的部分的成本和不必要的阻力在芯片最先进的节点。尖端芯片晶体管,包括三个部位接触和互联。…»阅读更多

在光刻和面具
通过马克LaPedus3月- 16,2017 -评论:2

半导体工程坐下来讨论光刻和格里高利·麦金太尔光掩模技术,先进模式部门主任(getentity id = " 22217 " e_name =“Imec”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);首席技术官David炸(getentity id = " 22210 " e_name = "湾……»阅读更多

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