标签:MRAM

基于横杆的Compute-In-Memory合作设计视图
通过技术论文链接3月- 15,2023 -评论:0

新评论篇题为“计算神经网络与非易失性内存元素:从合作设计的角度回顾”被阿贡国家实验室的研究人员发表,普渡大学,印度科技学院的马德拉斯。”一个总体合作设计的观点,本文基于评估使用横杆的CIM神经网络,连接材料适当的……»阅读更多

Scatterometry-Based MRAM技术的方法来描述
通过新星1月18日,2023 -评论:0

磁阻的随机存取存储器(MRAM)技术和最近的事态发展在制造过程中已经表明它是兼容Si-based互补金属氧化物半导体(CMOS)技术。垂直自旋转移力矩MRAM (STT-MRAM)配置为一个超密度MRAM打开了机会之进化和最广泛的用于其可伸缩性。插入……»阅读更多

MTJ-based电路提供了低成本、节能解决方案未来SC算法的硬件实现
通过技术论文链接12月- 30,2022 -评论:0

回顾篇题为“审查磁隧道结的随机计算”是由明尼苏达双城大学研究人员出版。资助机构包括半导体研究公司(SRC) CAPSL, NIST, DARPA等等。文摘:“现代计算方案需要大型电路领域和大型能源消耗为神经形态计算应用程序,比如……»阅读更多

高性能记忆:小说横向双磁隧道结(MTJ)和正交偏振器
通过技术论文链接11月17日,2022 -评论:0

一个新的技术论文题为“横向双磁隧道结装置与正交偏振器高性能磁阻的记忆”是汉阳大学的研究人员发表的。发现这里的技术论文。2022年11月出版。罪,S。,哦,美国横向双磁隧道结装置与正交偏振器高性能磁阻的记忆....»阅读更多

Edge-AI硬件扩展现实
通过技术论文链接7月- 20,2022 -评论:0

新技术论文题为“Memory-Oriented设计空间探索Edge-AI硬件XR应用“从新德里印度科技学院的研究人员和现实实验室研究、元。抽象的“低功耗Edge-AI能力是必不可少的设备内置扩展现实(XR)应用程序支持Metaverse的愿景。在这项工作中,我们研究两个代表XR w……»阅读更多

3新兴技术:记忆电阻器、自旋电子学和二维材料
通过技术论文链接- 06年7月,2022 -评论:0

新技术论文题为“记忆性、自旋电子和2 d-materials-based设备改进和补充计算硬件”来自伦敦大学学院的研究人员和剑桥大学。抽象”在数据驱动的经济中,几乎所有的行业受益于信息technology-powerful计算系统的进步至关重要的快速技术公关……»阅读更多

为CNN SOT-MRAM-based CIM架构模型
通过技术论文链接2022年5月- 09年-评论:0

新的研究论文为卷积神经网络“内存计算架构基于自旋轨道转矩MRAM”,国立台湾大学,大学,钟元基督教大学。抽象的“最近,大量研究调查计算内存(CIM)体系结构神经网络克服内存瓶颈。因为它的低延迟、高energ……»阅读更多

CXL和OMI:竞争或补充吗?
通过布来安梅奥- - - 3月23日,2022 -评论:1

系统设计师正在寻找任何想法他们能找到提高内存带宽和容量,重点从提高内存的新类型的内存。但高层建筑的变化可以帮助满足这两个需求,甚至脱离cpu内存类型。两个新协议有助于使这一切成为可能,CXL和尾身茂。但有一个迫在眉睫的问题…»阅读更多

横梁的磁阻的内存设备内存计算
通过技术论文链接1月- 14,2022 -评论:0

三星展示了世界上第一个基于MRAM内存计算技术。三星自然在这个问题上的一篇论文。本文展示了三星的努力合并内存和系统为新一代人工智能(AI)半导体芯片。文摘”实现借的人工神经网络模拟技术可以提供low-po……»阅读更多

SOT-MRAM挑战SRAM
通过布来安梅奥1月- 13,2022 -评论:1

时代新型非易失性存储器(NVM)技术,另一个变化将加入竞争- MRAM的新版本称为在手性力矩,或SOT-MRAM。这个一个特别有趣的是,有一天它可以取代SRAM阵列在systems-on-chip (soc)和其他集成电路。SOT-MRAM技术的关键优势是公关……»阅读更多

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