标签:MRAM

SOT-MRAM挑战SRAM
通过布来安梅奥1月- 13,2022 -评论:1

时代新型非易失性存储器(NVM)技术,另一个变化将加入竞争- MRAM的新版本称为在手性力矩,或SOT-MRAM。这个一个特别有趣的是,有一天它可以取代SRAM阵列在systems-on-chip (soc)和其他集成电路。SOT-MRAM技术的关键优势是公关……»阅读更多

前景:DRAM、NAND下一代记忆
通过马克LaPedus——11月18日,2021 -评论:0

客观分析主管吉姆•方便坐下来和半导体工程讨论3 d NAND DRAM和下一代存储市场。以下是摘录的讨论。SE:你会如何描述NAND闪存市场2021年到目前为止?方便:在2021年所有的芯片都看到不同寻常的力量,但NAND闪存和DRAM做他们通常做的事情表现出更多e…»阅读更多

更多的错误,修正在记忆
通过布来安梅奥- 09年11月,2021 -评论:1

任何类型的记忆一些细胞变小,误比特率增加由于低利润率和过程变化。这可以使用纠错处理占并纠正一些错误,但更复杂的纠错码(ECC),它需要更多的硅区域,进而推高了成本。鉴于这一趋势,成本的迫在眉睫的问题是……»阅读更多

下的覆盖和对齐标记成像使用微微秒激光声测量不透明层
通过上的创新- 09年11月,2021 -评论:0

光学不透明材料带来的一系列挑战semi-damascene校准和叠加的过程流或处理后的磁隧道结(MTJ)磁性随机存取存储器(MRAM)。覆盖和对齐模式的模式定义的光刻层和底层设备操作基本在所有多层patterne……»阅读更多

可靠和高效紧凑的可伸缩MTJ仿真的模型
通过费尔南多·加西亚雷东多- 09年9月,2021 -评论:0

费尔南多·加西亚雷东多,Pranay Prabhat, Mudit Bhargava自1975年发现以来,Tunnel-Magneto-Resistance(咯)一直积极调查。从2000年代,工艺技术的进步使得磁性随机存取记忆的小型化(mram)基于咯设备,与传统CMOS集成到流程。引入magneti……»阅读更多

新的记忆添加新的错误
通过布来安梅奥- 07年9月,2021 -评论:1

新的非易失性记忆(NVM)带来新的机会改变我们如何使用内存systems-on-chip (soc),但他们也为确保添加新的挑战,他们将按预期工作。这些新的内存类型——主要是MRAM和ReRAM依靠独特的物理现象来存储数据。这意味着新的测试序列和故障模式可能需要被释放之前t…»阅读更多

卷积Compaction-Based MRAM故障诊断
通过技术论文链接- 03年9月,2021 -评论:0

文摘:“自旋转矩磁阻的随机存取记忆(STT-MRAMs)正逐渐取代传统的sram在soc设计中最后一级缓存。他们的制造过程包括削减参考电阻STT-MRAM模块可靠地确定逻辑0和1的值读取操作。通常,一个芯片上的削减常规由乘…»阅读更多

MBIST-supported修剪调整补偿MRAM的热行为
通过技术论文链接- 03年9月,2021 -评论:0

文摘:“自旋转移力矩磁性随机存取存储器(STT-MRAM)是其中一个最有前途的候选人取代传统嵌入式内存等静态RAM和动态RAM。然而,由于小的开/关MRAM细胞比率,过程变化可能减少芯片的营运利润率。参考调整建议的方法来减少变异影响气……»阅读更多

一个紧凑的可伸缩MTJ仿真模型
通过技术论文链接8月24日,2021 -评论:0

阅读完整的技术论文。6月9日,2021年出版。摘要提出了一种基于物理建模框架的分析和瞬态模拟电路包含自旋扭矩(STT)磁隧道结(MTJ)设备。框架提供的工具来分析随机行为mtj和生成Verilog-A紧凑模型模拟在守护神…»阅读更多

HBM需要一个更大的角色
通过布莱恩•贝利2021年5月- 13 -评论:1

高带宽内存越来越快,出现更多的设计,但这堆DRAM技术可以发挥更大的作用作为一个网关chiplet-based soc和真正的3 d设计。HBM越来越被视为一种推动异构分布式处理到一个完全不同的水平。曾经被视为一种昂贵的技术,只能使用在高…»阅读更多

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