标签:FDSOI

制造业:9月23日
通过马克LaPedus- 9月23日,2014 -评论:0

IEEE国际电子设备年会(IEDM)将在12月15 - 17日在旧金山举行。像往常一样,将展示最新的技术在许多领域,如半导体、生物传感器、应承担的能量收获、电力设备、传感器、磁学、自旋电子学、二维电子产品等。这里只是一些论文,将公关……»阅读更多

集成电路产业打了一个“红色砖墙”?
通过马克LaPedus——6月19日,2014 -评论:2

在1980年代中期,半导体行业的危机。芯片制造商正在寻找方法来打破魔法1微米的障碍。许多人认为x射线光刻技术将被要求打破屏障,但事实证明,传统的光学技术诀窍。和行业继续前进。之后,在2000年左右,IC行业接近所谓的“红砖墙,”……»阅读更多

寻找下一个晶体管
通过马克LaPedus2014年2月- 20(-评论:3

在短期内,尖端芯片路线图看起来相当清楚。基于今天的finFETs和芯片平面完全耗尽的绝缘体(FDSOI)技术将缩小到10 nm节点。但是,CMOS路线图变得雾蒙蒙的7海里。这个行业一直在探索新一代晶体管候选人,但突然,一些技术……»阅读更多

工厂工具行业已经迷失了方向
通过马克LaPedus1月23日,2014 -评论:1

芯片制造商和工厂工具厂商之间的关系一直是岩石,但是供应链一般效果。芯片制造商需求的一个特定应用程序的工具。工具制造商试图交货,并问一些,如果有的话,问题。现在,工厂工具高管开始问一些尖锐的问题。和之间的张力增加装备的……»阅读更多

周评:制造和设计
通过马克LaPedus2014年1月- 10 -评论:1

Crucial.com揭示了一个令人吃惊的方式来获得更多的时间来改善个人健康:修复一个缓慢的电脑。一项全国性的调查显示,美国成年人认为他们浪费每天平均16分钟等待他们计算机加载或启动。相当于每周两小时,四天每年损失的诡计电脑缓慢,一点也不奇怪,66%的美国人说……»阅读更多

制造业:12月17日
通过马克LaPedus12月17日,2013 -评论:0

植入式TFETs在最近的IEEE国际电子设备会议(IEDM)在华盛顿,华盛顿特区,许多企业、研发机构和大学所描述的新突破,也许下一件大事在半导体隧道场效应晶体管(TFET)。目的为5 nm节点,TFETs陡峭的亚阈值斜率晶体管可以规模供应电压贝尔……»阅读更多

Leti轮廓FDSOI和单片3 d IC路线图
通过马克LaPedus11月- 14,2013 -评论:0

半导体工程讨论了完全耗尽的未来路线图绝缘体(FDSOI)技术和单片3 d芯片与莫德Vinet CEA-Leti创新设备实验室经理。SE:正在开发的一些技术创新设备实验室吗?Vinet:创新设备实验室参与先进CMOS。所以基本上……»阅读更多

10 nm之后是什么?
通过马克LaPedus11月- 14,2013 -评论:0

一段时间,每个节点的晶体管数,芯片制造商大约翻了一倍,同时削减成本29%左右。IC缩放,反过来,使芯片更快和更低的成本,最终转化为更便宜的电子产品有更多的功能。消费者已经习惯了摩尔定律的好处,但问题是多久?基于芯片的……»阅读更多

动量构建为单片3 d ICs
通过马克LaPedus11月- 14,2013 -评论:1

2.5 d / 3 d芯片市场在若干领域正在升温。在一个方面,使用在矽stacked-die通过(tsv)扎根。在一个单独的区域,三星是世界首部3 d采样NAND闪存设备,与微米和SK海力士将效仿。现在,还有另一个技术生成steam-monolithic 3 d集成电路。在stacked-die,裸死连接使用……»阅读更多

周评:制造和设计
通过马克LaPedus- 01年11月2013 -评论:0

银色冲浪者代表更重要的技术市场比“X一代”和“Y一代”,根据Gartner的研究。银色冲浪者在中年或老年接近人。尽管大多数技术人员未能认识到这一事实,他们利用技术非常感兴趣,也有时间和资源来追求自己的利益,根据Gartne……»阅读更多

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