标签:动态随机存取记忆体

CXL记忆:使用微型基准测试中详细描述分析和实际应用程序(伊利诺斯,英特尔实验室)
通过技术论文链接3月- 30,2023 -评论:0

一个新的技术论文题为“揭秘CXL记忆与真正的CXL-Ready系统和设备”由伊利诺斯大学香槟分校研究人员发表(伊利诺斯)和英特尔实验室。文摘:“现代数据中心高记忆容量的需求导致了多个行内存扩展创新和崩溃。就是这样一个努力计算表达链接(CXL)的……»阅读更多

互联:探索半金属(宾夕法尼亚州立大学、IBM、莱斯大学)
通过技术论文链接——3月26日,2023 -评论:0

技术论文题为“探索互联拓扑半”由宾夕法尼亚州立大学的研究人员发表,IBM和莱斯大学,资金由半导体研究公司(SRC)。抽象的“晶体管的大小已经大幅减少。互联同样也被缩减。今天,传统的铜(铜)的互联面临…»阅读更多

比较评价DRAM位线间隔的集成方案
通过邓普西邓3月- 16,2023 -评论:0

减少动态随机存取记忆体(DRAM)细胞大小,DRAM过程开发变得越来越困难。位线(提单)传感利润率和刷新时间已成为问题的细胞大小减少,由于提单增加寄生电容(Cb)。的主要因素影响Cb是提单和节点之间的寄生电容接触(CBL-NC) [1]。减少……»阅读更多

CXL-Based内存池系统满足云性能目标和DRAM成本大大降低
通过技术论文链接- 05年3月,2023 -评论:0

技术论文题为“池塘:CXL-Based内存池系统云平台”由弗吉尼亚理工大学的研究人员发表,英特尔、微软Azure,谷歌,和石有限公司抽象的“公共云提供商寻求满足严格的性能要求和较低的硬件成本。性能和成本的一个关键驱动主内存。内存池承诺提高DRAM利用率和t…»阅读更多

在soc处理性能瓶颈
通过布莱恩•贝利2月23日,2023 -评论:0

激增的数据量soc陷入困境需要过程性能,当处理器本身可以处理大量涌入,内存和通信带宽是紧张的。现在的问题是,能做些什么。内存和CPU带宽之间的差距——所谓的“记忆墙是有据可查,绝对不是一个新问题。但它并没有消失……»阅读更多

流程创新使下一代soc和记忆
通过劳拉·彼得斯2023年2月- 20(-评论:0

实现改善性能先进的soc和包——用于移动应用程序,数据中心,和AI——需要复杂的和潜在的昂贵的架构的变化,材料,和核心制造过程。以下选项中考虑新的计算架构,不同的材料,包括薄势垒层和高th……»阅读更多

周评:半导体制造、测试
通过凯伦·海曼2023年2月- 10(-评论:0

芯片消费设备,但整个芯片行业正在积极准备下一阶段的增长。全球硅片出货量,一个聚合的各种半导体领域,2022年再创新高,增加4%至147.13亿平方英寸(MSI)。晶片收入,与此同时,同期增长9.5%至138亿美元,半报道……»阅读更多

权力是在HBM哪里
通过埃德·斯珀林2023年2月- 06(-评论:0

飙升的HBM取得进展,因为需要处理的数据量迅速,但大减少权力可能如果处理可以逼近HBM模块,如果可以做更多的工作在每个计算周期没有来回发送数据到内存频繁。史蒂文哇,研究员,Rambus杰出工程师,谈到如何博……»阅读更多

提高性能和与HBM3权力
通过安迪Patrizio1月30日,2023 -评论:0

HBM3波动开门显著更快的内存和处理器之间的数据移动,减少权力需要发送和接收信号,提高系统的性能,高数据吞吐量是必需的。但使用这种记忆是昂贵和复杂,这可能在短期内将继续如此。高带宽内存3 (HBM3)是最衰退……»阅读更多

RM有效地处理大型数据集在底层内存池,分解在CXL(韩科院)
通过技术论文链接1月29日,2023 -评论:0

技术论文题为“失败宽容与持久记忆训练崩溃CXL”发表(预印本)韩科院的研究人员和Panmnesia。“TRAININGCXL推荐可以有效地处理大规模数据集分解内存池的同时使培训开销较低的容错,”州。发现这里的技术论文。或者在这里(IEE…»阅读更多

←旧的文章 新帖子→

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu