标签:2海里

High-NA EUVL:光刻技术的下一个主要步骤
通过技术论文链接- 05年10月,2021 -评论:0

“在2025年,我们期望看到的第一个high-NA极端紫外线(EUV)光刻设备大批量制造环境。这些下一代光刻系统将是关键,推进贸易和投资自由化便利化摩尔定律的逻辑2纳米技术生成和超越。在这篇文章中,imec科学家和工程师参与准备这个主要引擎…»阅读更多

在英特尔的雄心勃勃的路线图
通过马克LaPedus和埃德·斯珀林8月23日,2021 -评论:2

安·凯莱赫技术开发高级副总裁和总经理英特尔,坐下来与半导体工程谈论公司的新逻辑路线图,以及光刻、包装、和处理技术。以下是摘录的讨论。SE:英特尔最近披露其新逻辑的路线图。除了英特尔3,英特尔公司正在20。智慧……»阅读更多

当前和未来包装的发展趋势
通过马克LaPedus8月19日,2021 -评论:1

半导体工程坐下来讨论IC封装技术趋势和其他主题William Chen表示,ASE研究员;高级副总裁迈克尔•凯利包装在公司开发和集成;总裁兼首席执行官理查德•Otte Promex, QP的母公司技术;全球技术营销高级总监迈克尔•刘JCET;和托马斯·Uhrmann,导演……»阅读更多

棉酚的影响在3/2nm晶体管
通过布莱恩•贝利8月- 16,2021 -评论:2

芯片行业准备另一个变化在晶体管结构gate-all-around(棉酚)场效应晶体管取代finFETs 3 nm和下面,创建一个新组设计团队面临的挑战,需要充分理解和解决。从finFETs棉酚场效应晶体管被认为是进化的步骤,但对设计流程和工具的影响仍将是巨大的。棉酚场效应晶体管将提供…»阅读更多

越来越不均匀3 nm / 2海里
通过马克LaPedus和埃德·斯珀林2021年5月- 24 -评论:2

一些芯片制造商和专业设计公司竞相开发流程和相互芯片在下次逻辑节点3和2 nm,但把这些技术应用到大规模生产被证明是昂贵和困难。也开始质疑仅仅需要这些新节点和为什么。迁移到下一个节点并提高性能……»阅读更多

在工厂工具技术的下一个什么?
通过马克LaPedus——5月12日,2021 -评论:0

专家在餐桌上:半导体工程坐下来讨论极端紫外线(EUV)光刻和其他与Jerry Chen下一代工厂技术,全球业务发展制造业和工业主管Nvidia;计算产品的副总裁大卫•油炸林研究;营销副总裁Mark Shirey说,和应用程序在心理契约;和安琪Fuj……»阅读更多

铸造的战争开始
通过马克LaPedus——4月19日,2021 -评论:3

先进铸造供应商正在准备一个新的,高风险的支出和技术竞赛,为可能的调整在半导体制造业的格局。今年3月,英特尔重新进入铸造业务,定位本身对三星和台积电前沿,和众多的铸造厂在旧工作节点。英特尔宣布计划建造……»阅读更多

晶体管和集成电路架构的未来
通过马克LaPedus- 3月18日,2021 -评论:1

半导体工程坐下来讨论芯片扩展,晶体管,新的架构,与Jerry Chen和包装,全球业务发展制造业和工业主管Nvidia;计算产品的副总裁大卫•油炸林研究;营销副总裁Mark Shirey说,和应用程序在心理契约;和阿基》d2的首席执行官。以下是摘录…»阅读更多

打破了2 nm障碍
通过马克LaPedus- 2月18日,2021 -评论:4

芯片制造商继续进步与晶体管技术的最新流程节点,但这些结构中的互联正在努力跟上。芯片行业正在几个技术解决互连的瓶颈,但许多这些解决方案还在研发,不得出现有一段时间了,可能直到2 nm,预计t…»阅读更多

新的晶体管结构3 nm / 2海里
通过马克LaPedus1月25日,2021 -评论:12

几个铸造厂继续开发新的过程基于下一代gate-all-around晶体管,包括更先进的高机动版本,但将这些技术引入生产将是困难和昂贵的。英特尔、三星、台积电等奠定了基础,从今天的finFET新gate-all-around场效应晶体管反式……»阅读更多

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