在2014年预计将达到35亿美元,但许多设备制造商在前缘萎缩。
由劳拉Chamness
全球半导体光掩模市场在2012年是32亿美元,2014年预计将达到35亿美元。达到市场在2011年达到顶峰后,光掩模市场在2012年萎缩4%。面具市场预计将增长3%,另外3%的顺序在接下来的两年。关键因素在这个市场继续保持先进的技术特征尺寸(少于45 nm)和增加制造业在亚太地区。台湾仍是最大的光掩模区域市场连续第三年的最大市场,预计将保持持续时间的预测。
2012年区域光掩模市场
来源:半光掩模特征总结报告——2013年3月
面具使市场变得越来越资本密集型。半的数据显示,2012年第三创纪录的一年面具/分划板制造设备从之前的记录2011年同比增长14%达到13亿美元。
在掩模制造设备市场增长,尖端的生产设备制造商的数量在下降;在2012年,只有六个设备制造商能够生产大规模sub-23nm设备。台积电和GlobalFoundries定于sub-23nm生产今年晚些时候推出。坡道都推迟生产从最初的公告在2012年第四季度根据半的工厂数据库。
随着光掩模行业的资本intensiveness增加,俘虏面具商店正在增加他们的市场份额总面具的市场;俘虏面具商店增长市场份额近年来他们现在占43%的市场份额,从2006年的30%。
设备制造商已成功地延伸193海里20 nm处理EUV光刻仍然延迟。与定向自组装进展,尽管更多的工作需要做生产就绪。仍然是一个关键障碍EUV源动力。然而,最近共同英特尔、三星和台积电在ASML和收购Cymer ASML应该加速发展。说,设备制造商保持平行的光刻技术路线图14 nm和10 nm设备结构。
没有令人信服的光刻技术解决方案出现1 x处理。Nanoimplant和ebeam边际的进步,但仍落后等许多关键领域的吞吐量和分辨能力。在缺乏突破,设备制造商将被迫采取三重模式为10纳米设备结构和四模式对关键层sub-10nm特征尺寸。
还有待观察行业将如何维持摩尔定律先进光刻的成本增加的速度比设备密度增加收益。但话又说回来,半导体行业充满了一些世界上最聪明的人已经在先前的光刻路障工程师成本有效的解决方案。
最近的一次半发表的报告,光掩模特征总结,详细介绍了2012年的光掩模市场七地区包括北美、日本、欧洲、台湾、韩国、中国和其他国家的。该报告还包括数据为每个这些地区从2007年到2014年。
发现额外的信息在这个新的报告,请点击在这里等附加信息表和数据的列表。
高级市场分析师劳拉Chamness是半行业研究和统计数据。
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