专家们表,第1部分:为什么FD-SOI需要和什么应用程序?另外,困难的是如何过渡到正向和反向偏压和为什么它很重要?
半导体工程坐下来比较收益,风险和挑战的搬到finFETs相比完全枯竭的绝缘体上硅(FD-SOI集团副总裁)和菲利普Magarshack技术研发意法半导体;Brambilla马可的工程总监突触的设计;副总裁迈克存根Silanna设备工程;董事长兼首席执行官韦恩戴VeriSilicon;高级经理Naim Ben-Hamida Ciena的混合信号设计和测试;开氏度低,铸造营销高级总监三星半导体;阿米尔Bar-Niv,高级组设计IP营销主管节奏;高级主管和迈克McAweeney销售产品解决方案Synopsys对此。以下是摘录的谈话。
SE:为什么我们需要在28 nm FD-SOI吗?
低:都是关于权力和成本。都有解决方案优化是必要的。FinFETs也满足系统需求,我们看到他们的一些客户使用这个产品。但对许多其他产品,比如物联网和衣物,成本敏感性和超低功率要求finFETs可能不合适。FD-SOI提供了很好的机会和解决方案已经到位。
Bar-Niv:我们听到我们的客户FD-SOI,这都是力量。我们也听到成本,但人们仍在讨论是否真的会降低成本。流程中涉及较少,这可能使它比散货便宜,但这取决于铸造。权力是这项技术的主导因素。
Brambilla:我们开发一个物联网设备。没有这个技术,我不会有一个产品。它必须在40 (nm)和工作1伏特。它不会满足时机。即使比例不正常你会联想到28 nm,我们选择它的原因是,我们必须跑开了一个很小的电池。泄漏控制的事情。技术允许这么大的电压波动,我们只能当我们需要浪费电力。与其他技术我们就不会有这些纬度Vdd。
Magarshack:最初我们着手解决的问题是对手机应用程序处理一个广泛的操作模式,非常高的速度或高电压或权力,而传统的解决方案。这是一个很短的时间内。大多数时候它们闲置或介质处理性能。因为应用程序处理器生活了电池,如何在这个工作负载最小化权力?这是FD-SOI进来的地方。这是一个极其广阔的空间电压之间的权衡,Vdd的电压偏差,和实现非常方便的。用同样的芯片,我们可以解决两个产品领域。一个是非常高端的性能。另一种是超低功率/低电压。我们可以把旋钮和地址的产品与市场相同的硅。
Ben-Hamida:我们需要高性能模拟和高速同时大的处理能力。它让我们的高速性能和扩展DSP很大的好处。
戴:第一次,每个晶体管的成本正在上升。摩尔定律可能会继续,但在压力下。我们有绝对碰了壁,每当出现这种情况。选择2.5 d、3 d、finFETs或FD-SOI。人看着好替代品28 nm以下物联网和衣物,但如果他们需要混合信号然后finFETs并不是一个很好的解决方案。这是你需要看的风景。领导人需要一个选择,因为他们行动之前,但它可能不是正确的应用程序,如物联网。
McAweeney:我们跟很多客户对许多不同的应用程序和权力总是出现。一些客户说他们需要一个低功率设备,和FD-SOI给了你机会运行在一个较低的电压。其他客户说,他们需要高性能很短的一段时间,然后不间断传感以非常低的权力。所以他们需要低功耗加服务的能力范围广泛的用途。
SE:为什么在28 nm FD-SOI与一个低功耗的过程吗?是更好吗?和它比finFETs,或者是简单的成本吗?
低:如果你看看FD-SOI与其他变异的28 nm,有成本敏感的问题。如果成本是决策的边界,事情会有所不同。如果你看一下物联网的某些部分,如衣物,它们非常敏感。相比其他变异的28 nm,成本因素和使用更低的电力供应的能力和身体的灵活性偏压是非常重要的。FD-SOI提供最低的权力和在正确的成本最低的泄漏点。从铸造,其他进程有优点和缺点。
Brambilla:将一个较小的节点将会惩罚我们,因为我们没有足够的东西放入死去。另一方面28 nm节点,没有提供相同的功率与FD-SOI我们可以得到。无论你是运行在50瓦或50毫瓦,你的技术是一样的。除非你需要做一些超快的专用处理器,你所做的是完全一样的,尽管它看起来不同于外面。
戴:大部分有不同的泄漏规格28 nm。你仍然可以使用低电压,即使这是一个延续,但你不能使用高压因为泄漏是非常糟糕的。
低:如果产品需要运行在一个特定的频率数,会有针对fd - soi局限性。您需要了解什么产品目标是做出正确的决定使用哪一个过程。会有一些高端的性能的应用程序FD-SOI将无法满足。
SE:这是无缝的延续的设计方法?设计师一直在使用身体偏置一段时间,但最新的转折是前后偏压。
Magarshack:额外的设计旋钮是好的,但它确实需要一些时间来适应。它开辟新的途径,这是旋钮,使同样的产品适合更高的性能和高功率,以及低功率、低性能,但降低电压。同时它是一个应用程序的交互和身体偏见,并利用需要确保你不抛弃的电压连接。所以有一些附加条件。我们正在与一些EDA供应商尽可能透明。你需要意识到这些事情,特别是如果你正在死去的物理实现。但它是你付出的代价得到充分表现,减少功率和电压。与此同时,你可以节省面积,因为你不需要保险设计。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
都说很好。
FDSOI所带来的好处将会出现在14 nm节点。在那里它打败了Fin-Fet。甚至会打10纳米。
其余的下面是纯粹的投机(批量生产)。