DSA几乎肯定会在未来的双模式发挥作用。
创意,或绝望,急于寻找模式10 nm节点使用双模式浸193纳米光刻技术,设计师从胳膊左“哭在他的啤酒”顺向设计困难。这个心脏破裂承认是许多见解,在会话自我组装(DSA)针对先进光刻。
双模式已成为我们别无选择——前进道路10 nm节点光刻,和导演自组装(DSA)已经成为选择的路径减少双模式的影响。双模式是分而治之的思想问题。迫使设计师布局设备面向模式为一组线。第一个模式,然后分别行模式的突破——因此双模式。10 nm节点,不幸的是,即使是简单的面向行超出浸193纳米的分辨率步进…。双模式行——双双模式呢?
因为只有每隔一行DSA简化了问题是由光刻图案。每隔一行将嵌段共聚物的自组装,天然沥青等于最终的模式。模式的打破行仍是挑战,与EUV或多个电子束被提议为替代多个193海里的模式。
在先进光刻DSA上有各种各样的文件;缺陷密度,策略指导模式接近真实设备模式,模式转移,较小的沥青材料和设计的影响。
缺陷密度的论文都表现出极大的进步。Kurt Ronse由Imec总结了结果我”指示,似乎并没有什么独特之处DSA缺陷,我看不到任何根本性障碍实现DSA。“DSA依赖于热力学平衡创建特性,从传统的光刻胶完全不同的机制。许多人认为动能达到平衡障碍可能造成永久性模式缺陷DSA。现在看来这些担忧是没有根据的和设备质量DSA会发生。
指导论文,显示如何创建真实设备像模式与DSA。的一个关键技巧是确保厚度是间距的倍数如果表面un-patterned阶段躺平的。如果表面有图案的阶段直接形成垂直模式,如果表面未成形的阶段水平和未成形的。其他团体关注“grapheo-epitaxy”使用大型几何图形的墙壁直接定位较小的阶段。这个有潜力的地方多个小特性在一个大型几何如下所示。面临的挑战是所需的设计和布局规则直接正确的模式来对地方了。会议有多个DSA设备模式的例子。
引导多个接触模式形式Reluca Leti等人。
在所有应用程序中,一个模块创建一个可用的抗拒模式必须清除。干蚀刻的解决方案的选择。钛试剂Reluca和一群法国Leti提出解块使用的远紫外线,这样它可以被液体开发人员就像光刻胶。他们表现出低水平的线边缘粗糙度。
论文最后,有一群在不同阶段材料会单独在小于10纳米间距的一半。相宽尺度的平方根分子量,所以在10纳米与-15单体重复这些材料——才刚刚聚合物。这些小阶段于1978年首次报道…道歉自我提升…在非模式应用程序。
所有的双模式方法和许多的指导策略包括添加新的布局约束(设计规则)…否则称为推卸责任。我虽然在会议上最具煽动性纸是一个联合Lars Liebmann David Pietromonaco / IBM /部门的贡献集中在设备设计规则设计的影响。IBM处理人谈论处理思想,和手臂设计家伙解释了为什么他讨厌他们。设计师(Pietromonanco)表明他需要设计完整的功能块了解一个特定的设计规则影响布局。他专注于面向行与违反设计规则与其他设备规则迫使他使用额外的层互连线晶体管在一起。对于一个流行的示例,他发现他需要6更多的金属层。其他规则让他“太忙哭在他的啤酒保健”。他的观点是,任何额外的金属层进一步削弱了美元/晶体管收益减少,因此削弱了整个商业理由萎缩。他还指出,ASIC铸造的人会发现这些约束比内存或大的微处理器。
我虽然这纸是一个例子,这些会议能做的最好的事情之一,把不同学科的专家一起照亮现实世界的挑战。
双模式而言,DSA几乎肯定是要发挥核心作用。如果你正在指导策略,它有一个设计师跟至关重要。
关于作者
麦克瓦以来模式1嗯的关键障碍,换句话说长期。我是一个高大的英国佬是谁没能建立一个在奥斯丁德克萨斯口音。我有一个咨询瓦www.impattern.com。
我的博客“ImPattering”将专注于业务和技术的最新发展的模式。我特别感兴趣尝试确定最新的商业应用是如何演变。
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