准备3 d晶体管并不像听起来那么简单,和对设计流程的影响是巨大的。
double-patterning和其他先进的光刻技术的帮助下,CMOS技术继续接触20纳米大小规模(nm)。然而,因为他们更高的属性,FinFETs正在取代平面CMOS技术选择在这些先进的设备技术节点。特别是FinFETs展示更好的结果方面的性能、泄漏和动态能力,intra-die可变性,对sram和保留电压。
而肤浅的定制设计流程,特别是关于设计实现步骤,可能意味着从平面场效应晶体管过渡到FinFET将无缝和透明的设计师,FinFET设备在设计流程的影响会很大。为了了解更多,点击在这里。
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