RISC-V片上功率控制器;chiplet位置;cpu上的加速;RISC-V跳过故障攻击;内存中计算;扫描隧道显微镜纳米尺度;忆阻器安全;热晶体管;固定时间政策的安全投机;带有动态内存管理的BDD。
《半导体工程》杂志最近增加了新的技术论文库:
| 技术论文 | 研究机构 |
|---|---|
| RISC-V片上并行功率控制器基于fpga的硬件在环功耗和热仿真的多核高性能计算处理器 | 苏黎世联邦理工学院和博洛尼亚大学 |
| Chiplet位置基于序列对树和热考虑的2.5D集成电路 | 国立阳明交通大学(台湾) |
| 贝吉塔:稀疏/密集GEMM瓷砖的垂直集成扩展cpu上的加速 | 佐治亚理工学院和英特尔实验室 |
| compass:一种编译器辅助的处理指令跳过的安全对策RISC-V故障攻击 | 慕尼黑工业大学与夫琅和费应用与综合安全研究所(AISEC) |
| 基于多层rram的向量矩阵乘法运算的实验评估内存计算 | 莱布尼茨高性能微电子研究所 |
| 外部触发光泵探针 扫描隧道显微镜具有数十皮秒的时间分辨率 |
筑波大学和UNISOKU株式会社 |
| 安全技术的回顾忆阻器计算系统 | 以色列理工学院，德国耶拿弗里德里希·席勒大学，莱布尼茨光子技术研究所(IPHT) |
| EDDY:一个多核BDD包动态内存管理减少碎片化 | 不莱梅大学 |
| 展望:固定时间政策的可证明安全投机(扩展版) | imec-DistriNet在KU Leuven, CEA, List, Université Paris Saclay和INRIA |
| 固态电化学晶体管热 | 北海道大学、釜山大学、东京大学 |
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