收缩功能的可行性将于2020年结束。那么将取代它吗?这里有一些选项。
你让所有不同的报告出来的先进光刻2014 -摩尔定律,与EUV持续问题,定向自组装装配使进步?设备内部的判断我的价值,从会议回来,总结道,“我们将看到摩尔定律萎缩在2020年年底。在那之后,没有人知道!“没有300美元的b +业务突然失速,选项是什么?
1980年,该行业使用100毫米晶圆,设备成本1美元,跑时速30片,临界尺寸是4µm设备7面具的水平,和一个典型的存储单元是大约20临界尺寸(cd²),收益率为30%。
2010年,该行业使用300毫米晶圆,设备成本30美元,跑时速100晶片,临界尺寸40 nm,与35个面具在设备的水平,和一个典型的存储单元是大约6 cd²,收益率为90%。一个巨大的转变的过程和技术。
如果我只是看变化,生产力增加了通过晶片面积9 x,晶片由3 x吞吐量,通过10000 x更小的晶体管,通过较小的记忆细胞3 x, 3 x提高产量。这些设备成本的增加抵消了30 x,和面具的水平增加了5倍。美元的净变化/晶体管16000 x。在20年的摩尔定律,每2年2 x, x的变化是每个晶体管是32000美元,在很好的协议,我非常粗糙的自底向上的分析。
显而易见的结论从这些发展是10000 x cd收缩的主要推动力,但一直在改进抵消另一个250 x 150 x损失增加了复杂性的过程和设备。
展望未来,传统收缩在望的结束仅仅是因为我们的原子。基于先进的平讨论,最新的2020年也是路线图显示13海里一半(30原子),这似乎是结束的收缩。
去下面13海里将需要一个完全不同的设备,我们神奇的学会在一些可笑的低收益率的缺陷水平。这似乎不太可能,所以答案必须增长在第三维度,这意味着增加面具和成本水平。至少是巨额投资在新技术打印小功能将消失,随着指数增加设备成本。简单地说,继续在密度每增加一倍,需要面具的水平增加了一倍成本的两倍。增加长期不支持这个功能。
第一种方法简化光刻垂直自组装。自组装在水平面被驱动来简化模式启用形状块的平行线,允许模式接近分辨率极限。这些平行线可以创建使用嵌段共聚物在大型阵列,提供2或4 x乘法粗模式。此外,研究小组显示如何使用印深处指导自我调整,甚至创建了线。
另一种方法是多层模式,包括建立多层膜在一个操作。惠普航行过程至少是实现这一目标的方法使用一个多步自对准的印记创建多个图层。技术已应用于大型薄膜晶体管,但没有理由,版本不能被应用于纳米特性。格兰特威尔逊德克萨斯大学的研究小组已经完成了一些可行性演示f0r使用印记创建通过和互连一个印记。
所以我预测(或平铺猜),结合多层印记和自组装可以用来创建3 d晶体管阵列和互联,同时降低了成本。今天将是一个扩展的技术和学习可以使用今天的缺陷。也很容易看出这可能扩展到多个迭代的改进。
更多的投机方法使用生物自组装的概念。我们的大脑是一个壮观的自组装的例子。我们的DNA提供了模板,和过程创建一个球形的神经网络的层次结构,其计算能力非凡的并行处理。
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显然我们不会跳转到一个合成的大脑,但是有个人可以使用生物步骤。抗体绑定是一种特定的蛋白质附着在细胞壁上特定位置。抗体标记被用来把黄金nano-spheres表面和局部绑定可以用来阻止附件在某些领域。现在你可以想象自组装与抗体标记集的行其他多层模式。
我的结论是,堆叠3 d设备将接管晶体管数量的增加,而且有现实的方法降低成本在不久的将来。当前推动模式简化多模式已经将所需设备和设计工具的变化进行自组装。哦,也许将成为一个重要印记。但是,我可能有点偏见!
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