苏黎世联邦理工学院的研究人员发表了一篇题为“从根本上理解和解决RowHammer”的新技术论文。
摘要
“我们概述了RowHammer漏洞的最新发展和未来方向，该漏洞困扰着现代DRAM(动态随机存储器访问)芯片，几乎在所有计算系统中用作主存储器。
RowHammer是一种现象，在这种现象中，反复访问实际DRAM芯片中的一行会导致物理上邻近行的位翻转(即数据损坏)。这种现象导致了严重而广泛的系统安全漏洞，正如2014年RowHammer论文发表以来的许多研究所表明的那样。最近对RowHammer现象的分析表明，随着DRAM技术的不断扩展，问题变得越来越严重:从根本上说，较新的DRAM芯片在设备和电路层面更容易受到RowHammer的影响。对RowHammer的深入分析表明，由于漏洞对许多变量敏感，包括环境条件(温度和电压)，进程变化，存储的数据模式以及内存访问模式和内存控制策略，因此问题存在许多维度。因此，已经证明很难设计出完全安全且非常高效(即性能，能源，面积低开销)的防RowHammer保护机制，并且DRAM制造商所做的尝试已被证明缺乏安全保证。
在回顾了利用、理解和减轻RowHammer的各种最新发展之后，我们讨论了我们认为对解决RowHammer问题至关重要的未来方向。我们认为有两个主要方向可以扩大研究和开发工作:1)在尖端的DRAM芯片和部署在该领域的计算系统中，对问题及其多个维度建立更深入的理解;2)通过系统内存合作设计和开发极其高效和完全安全的解决方案。”
找到技术纸在这里．2023年2月发布(最新版本)。此外，查找相关的视频演示在这里和在这里．
Mutlu, Onur, Ataberk Olgun和A. Giray Yağlıkcı。“从根本上理解并解决了rowhammer。”第28届亚洲和南太平洋设计自动化会议论文集，第461-468页。2023.
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