现在共有7发布3 d的标准。
自2010年12月,形成半3 ds-ic标准委员会取得了重大进展建立TSV计量等领域的关键标准,玻璃晶片载体,和术语。委员会的两个最新的标准半3 d6 - 0913指南的化学物质平面化(CMP)和Micro-Bump过程通过硅通过正视图(TSV)集成,半3 d7 - 0913指南对齐标记3 ds-ic过程。增加这两个新标准带来的总数发表半3 d标准7。
半3 d6 - 0913规格定义了中间行结束(MEOL)过程相关的生产流程。为了加快3 ds-ic产品的批量生产,通用端流程需要前端和后端进程通信。文档集中在中低端过程通过硅晶圆有或没有通过(TSV),包括发布最终金属临时结合,晶片变薄,TSV形成和揭示,micro-bumping(乌兰巴托),重新分配线(RDL) de-bond形成和载体。过程中常用的生产3 ds-ics讨论了半3 d6 - 0913。
可接受的TSV CMP标准碟形,侵蚀,和孔隙中定义半3 d6 - 0913,目标更好的TSV连接由于更高的CMP质量。半3 d6 - 0913还提供了测量方法micro-bump维度,包括采样频率,采样站点和映射,参考基准面,调查可用的计量工具。这将提高IC设计公司之间的沟通,晶圆厂,和包装。的通用流程流进料侧TSV形成也描述的标准。
半3 d7 - 0913定义了3 ds-ic对齐标志规范处理。对齐标志规范定义包括形状、尺寸、和位置在本文档将是有益的产量叠加(C2C)芯片的芯片,芯片晶圆(C2W)和薄片(W2W) 3 ds-ic产品。
这两个新标准是由台湾3 ds-ic中间过程工作组。另一组,3 ds-ic测试工作组,寻求提高生产产量通过开发规格prebond和保税晶圆/设备的电气测试。他们的第一个标准下开发文档5485年指南传入/传出3 ds-ic产品的质量控制和测试流程。
虽然3 d-ic标准化努力最初开始在北美,对应章节在台湾成立不久,是高度活跃的,如上所示。兴趣也是生长在日本,发生在包装委员会的正式活动薄芯片(死)抗弯强度测量工作小组。虽然一些芯片晶圆强度计量已经标准化,随着晶片和芯片厚度变得越来越薄,厚度50岁以下嗯需要专门的工具和难以衡量。为了纠正这个问题,该组织正致力于一个新的弯曲强度测量方法(“悬臂梁弯曲法”)超薄死去。需求和规范中描述的方法将很容易在多个供应商,通过供应链导致平滑处理。工作组目前正在准备测试样品与不同晶片厚度降低到10 um弯曲强度测量的实验。日本也在考虑W2W的标准化和D2D处理的可能性。
半三维标准化会议全年发生。北美分会在10月继续工作,目前分布在三个小组:保税晶片栈、检验和计量,和细晶片处理。半北美的努力导致了五个标准出版日期。参与,请联系你的当地的半标准人员或访问:www.semi.org/standards。
半3 ds-ic标准出版
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[…]和性能优势与3 d似乎是可以实现的。而3 dic仍在standards-forming阶段,与成熟的收益(成本)和EDA基础设施这看起来像是一个关键武器添加到[…]