周评:设计,低功耗

英特尔发布隧道瀑布量子计算,量子研究最新的芯片,研究人员感兴趣的12 -量子位硅片使用自己的实验和研究。英特尔也提供芯片研究实验室,借助LQC (LPS量子位合作实验室)陆军研究办公室。第一个实验室接收芯片是有限合伙人,桑迪亚国家实验室,罗切斯特大学,威斯康星大学麦迪逊分校。隧道瀑布是一个旋转量子位设备制造在D1 300毫米晶圆制造设备,使用极端的紫外线光刻技术(EUV)和门和联系处理技术。每个量子位设备本质上是一个单电子晶体管,英特尔表示。

AMD公布了AI生成平台和加速器的家人,AMD本能MI300系列,MI300X抽样在Q3 AMD的关键客户。它可以适合大型语言模型因其庞大的记忆。基于下一代AMD CDNA 3加速器架构,MI300X已经多达192 GB的HBM3内存所需的计算和内存效率大语言模型训练和推理生成人工智能工作负载,根据AMD的新闻稿。AMD还透露其第四代AMD EPYC处理器高性能计算(HPC)、云,和企业服务器的工作负载。处理器组合有4日“禅宗4 c”核心架构,AMD EPYC 97 x4云native-optimized cpu数据中心提供的线程密度。第四代了亚马逊弹性计算云(EC2) M7a实例亚马逊网络服务(AWS)。的EC2实例M7a提供额外的处理器功能avx3 - 512, VNNI, BFloat16,连同M6a实例计算性能高50%,根据亚马逊的新闻稿。

设计

节奏和三星代工签署了一项多年的合约吗扩大设计IP组合覆盖三星铸造的SF5A过程技术。协议还包括最新DDR5 8400 +和GDDR7三星铸造SF3先进技术解决方案,为设计师想要高性能、高带宽内存接口工具设计生成AI /毫升,超大型,高性能计算(HPC)的应用程序。

Synopsys对此和三星还宣布了一项扩展协议发展IP降低设计风险和加快硅成功汽车、手机、HPC, multi-die设计。Synopsys对此优化IP达到1级或2级温度和三星SF5A AEC-Q100可靠性要求和SF4A汽车流程节点。auto-grade IP ADAS SoC将包括设计失效模式和影响分析(DFMEA)报道,可以节省几个月的汽车SoC应用程序开发工作。Synopsys对此已经达成协议与三星提高Synopsys对此IP提供三星先进8 lpu SF5, SF4 IP和SF3流程,包括基础,USB, PCI Express (112 g以太网,UCIe, LPDDR, DDR, MIPI等等。

劳斯莱斯正在使用英特尔的高性能计算与有限元分析软件“多重物理量模拟工具来缩短时间运行劳斯莱斯的燃气轮机的形变场模型。现在的时钟在不到10个小时来模拟模型,改进了超过1000小时过去。计算资源在橡树岭领导计算设施,HPE,搭建研究(国家超级计算应用中心)支持这项工作。

对于嵌入式系统开发人员,英飞凌刚刚发布的ModusToolbox 3.1包含一个新的仪表板培训和工作流程指南。工具箱是英飞凌产品和使用不同的集成开发环境(ide)。

共享数据的设计和制造是一个大问题。很多工厂的关键数据出来。它穿过一个组织如何可以共享与芯片架构师和设计到制造链的其他部分?读什么大型EDA的ceo, IP和测试公司说。

西门子加快其NX软件在Xcelerator, GPU运行一个新的性能预测能力,提供接近实时的仿真结果。

斯通里奇公司密歇根的汽车电子设计公司是采用西门子Xcelerator组合。

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产品和交易

英飞凌的新ISOFACE双通道数字光电隔离器用于高压隔离,使用英飞凌的空心变压器隔离技术和改进的模瞬态免疫力(CMTI),在一个窄体DSO-8包,从PCB之间传输电信号。设备支持的数据率高达40 Mbps和可以保持信号完整性在宽工作温度范围和生产,该公司在一份新闻稿中说。这个ISOFACE设备与其他供应商的产品兼容。光电隔离器将用于服务器,电信和工业smp,工业自动化系统、运动控制和驱动,能量存储系统,太阳能逆变器。

英飞凌还宣布它的下一个1200 V CoolSiC沟MOSFET在TO263-7包,英飞凌表示切换损失与第一代相比低25%。这是一个生产碳化硅(SiC) MOSFET的高功率密度和效率为双向收费。gate-source阈值电压(V GS (th))大于4 V和crs / cis比率非常低。的可靠断开V GS = 0 V有助于避免寄生turnings-on。SiC MOSFET结温也与第一代相比降低了25%。根据公司已经使用CoolSiC MOSFET OBC的平台。更多的细节。

西门子数字行业软件添加的SupplyframeDesign-to-Source智能平台进入西门子Xcelerator组合。

华邦电子介绍了8 mb 3 v W25Q80RV,最初提供的新组合高性能、小体积串行闪存设备边缘应用程序需要一个更高的读取性能。操作在一个2.7 v至3.6 v电源,省电电流降到1μa的设备。华邦电子使芯片在自己的12英寸晶圆工厂58纳米技术。该公司表示芯片是小于90纳米技术的版本。

功率和性能

Movellus宣布一个集成的下垂反应系统,检测和响应电压会枯萎,具有丰富的监控和可观察性特性,使细粒度动态电压和频率扩展(dvf)。系统APB和JTAG接口硅bringup健康和分析管理,生产测试,攷虑。Aeonic生成AWM2现在抽样与Movellus的一些客户。AWM2是现成的synthesizable IP。

而不是简单地缩小电路尺寸,新设备架构必须平衡这些因素来优化电路的整体性能。随着晶体管继续萎缩,它们之间的最小分离成为至关重要的障碍密度进一步增加设备。的顺序CFET方法似乎有很多可取之处。

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即将来临的事件

• ISCA 2023:计算机体系结构国际研讨会,奥兰多,FL, 6月17日- 21日
• EMLC 2023:欧洲面具和光刻技术会议,德累斯顿,德国,6月19日- 21
• Keysight世界,不同地点,6月20 - 23日
• 供应链论坛,法兰克福,德国,6月21日
• Leti创新天,6月27日- 29日
• 三星铸造论坛&安全论坛2023,圣何塞,CA, 6月27日- 28日
• 半导体中国,上海,中国,6月29日- 7月1日
• MIPI得复康2023:移动,圣何塞,CA, 6月30日
• DAC 2023 -设计自动化会议,旧金山,CA, 7月9日- 13所示
• 半导体西方2023年,旧金山,CA, 7月11日- 13所示
• Rambus设计峰会,7月18日- 19日

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