凹凸共平面性和不一致性导致良率和可靠性问题


凸起是许多先进封装的关键部件,但在纳米级水平上,确保所有凸起具有一致的高度是一个越来越大的挑战。没有共面性,表面可能不能正确粘附。如果没有在包装中发现问题,可能会降低产量,或者可能导致现场可靠性问题。识别这些问题需要各种流程步骤……»了解更多

设备供应商为氮化镓市场爆炸做好准备


在消费设备和许多应用对更高能效的需求的推动下,一个巨大的氮化镓市场正在开放。供应商已经准备好了,但要在高压汽车应用中与SiC完全竞争,还需要功率GaN(氮化镓)的进一步技术发展。尽管如此,本世纪20年代标志着氮化镓市场的高增长阶段。电力GaN市场的收入…»了解更多

如何覆盖保持步伐与EUV图案


覆盖计量工具提高精度,同时提供可接受的吞吐量,解决日益复杂的设备的竞争要求。在一场永无止境的竞赛中,前沿设备的产品覆盖公差正在迅速缩小。对于3nm一代(22nm金属间距)器件,它们的纳米范围为个位数。新的覆盖目标,机器学习和im…»了解更多

基于片对片和片对片的无凹凸构建立方体用于太大规模三维集成的综述


来自东京工业大学和其他研究人员的新研究论文题为“使用晶片对晶片(WOW)和晶片对晶片(COW)进行太尺度三维集成(3DI)的无碰撞构建立方体(BBCube)的综述”。摘要:本文讨论了基于片上(WOW)和片上(COW)的无碰撞构建立方体(BBCube)技术在太尺度三维集成(3DI)中的应用。屁股……»了解更多

迈向更坚固、更便宜的碳化硅


碳化硅在功率半导体市场,尤其是在电动汽车领域正获得越来越多的关注,但对于许多应用来说,它仍然过于昂贵。原因很好理解,但直到最近,碳化硅在很大程度上还是一种利基技术,不值得投资。现在,随着对可在高压应用中工作的芯片的需求增长,SiC得到了更近距离的关注. ...»了解更多

端到端分析何时何地起作用


随着所有制造步骤的数据爆炸式增长,从工厂到现场利用数据的承诺开始得到回报。工程师们开始跨制造和测试步骤连接设备数据,从而可以更轻松地以更低的成本实现产量和质量目标。关键是知道哪个工艺旋钮可以提高产量,哪些故障可以更早发现,以及为什么…»了解更多

虚拟制造提高良率


本文提供了一个利用虚拟制造技术提高良率的实例。本文以一个基于6晶体管的7nm节点静态随机存取存储器为例进行了研究。模拟并分析了通孔接触-金属边缘放置误差造成的良率损失。结果表明,通过优化工艺窗口和提高工艺参数,收率可由48.4%提高到99.0%。»了解更多

把缺陷扼杀在萌芽状态


随着技术节点的缩小,终端用户正在设计系统,其中每个芯片元件都针对特定的技术和制造节点。虽然设计芯片功能以解决特定的技术节点可以优化芯片的性能,但这种性能是有代价的:需要设计、开发、加工和组装额外的芯片……»了解更多

寻找和应用集成电路分析领域的专业知识


在描述数据分析平台的数据输入和输出的PowerPoint幻灯片背后,隐藏着提高晶圆厂产量的复杂性、努力和专业知识。随着为半导体设备收集的数据海啸,晶圆厂需要具有领域专业知识的工程师来有效地管理数据并正确地从数据中学习。天真地分析一个数据集可能会导致一个无趣的…»了解更多

用在线监测解决ABF衬底短缺问题


味之素积层(ABF)基板自世纪之交问世以来,一直是芯片制造的关键部件。味之素构筑膜是一种专为复杂电路设计的电绝缘体,用于pc、路由器、基站和服务器中。展望未来,ABF基板市场将继续增长,收入也将上升……»了解更多

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