后方电力输送的挑战

通过劳拉·彼得斯- 2022年11月17日-评论:0

实现3nm以下工艺的关键技术之一是在芯片背面传输功率。这种新方法增强了信号完整性，减少了路由拥塞，但它也带来了一些新的挑战，目前还没有简单的解决方案。后台电力输送(BPD)消除了需要在信号和电力线之间共享互连资源的t…»阅读更多

将铜互连扩展到2nm

通过劳拉·彼得斯- 2022年3月17日-意见:0

晶体管的比例在3nm达到了一个临界点，纳米片fet很可能取代finfet，以满足性能、功率、面积和成本(PPAC)的目标。类似地，一个重大的架构变化正在被评估为2纳米铜互连，这一举措将重新配置功率传输到晶体管的方式。这种方法依赖于所谓的地下电力轨道(BPRs)和…»阅读更多

通过马克·拉佩德斯和埃德·斯珀林- 2021年8月23日-评论

英特尔高级副总裁兼技术开发总经理Ann Kelleher接受了《半导体工程》杂志的采访，谈论了该公司新的逻辑路线图，以及光刻、封装和工艺技术。以下是那次讨论的节选。SE:英特尔最近公布了新的逻辑路线图。除了英特尔3，该公司还在研发英特尔20A。智慧……»阅读更多