当前的知识和二维磁性材料研究的未来发展


文摘:“磁性在二维(2 d)范德瓦耳斯就是secu * tanu减去vdW()材料最近成为最有前途的领域之一在凝聚态的研究中,有许多令人兴奋的新兴性质和重要的应用潜力,从拓扑magnonics低功耗自旋电子学、量子计算、和光通信。在短暂的时间后发现,2 d…»阅读更多

SOT-MRAM挑战SRAM


时代新型非易失性存储器(NVM)技术,另一个变化将加入竞争- MRAM的新版本称为在手性力矩,或SOT-MRAM。这个一个特别有趣的是,有一天它可以取代SRAM阵列在systems-on-chip (soc)和其他集成电路。SOT-MRAM技术的关键优势是公关……»阅读更多

制造:1月10日


寻找新材料与逆设计会研究和技术联盟(智能)找到了一种新的方式来执行一般逆设计、一种技术,它可以加速新材料的发现。逆的概念设计是简单的。假设你想开发的产品选择材料。在电脑,你输入所需的材料和propertie……»阅读更多

发光V-Pits:另一种方法向发光Indium-Rich InGaN量子点


文摘:”实现全固态白光发射装置需要高效蓝色、绿色和红色的发射器。然而,挑战仍然存在在提高长波长的量子效率低group-III-nitride光发射器通过传统量子阱的增长。这里,我们展示一个新的直接有机化学气相沉积方法生长在富裕印加……»阅读更多

高效的欧姆接触和内置原子在MoSi2N4子层保护和WSi2N4单层膜


抽象的“二维(2 d)半导体金属接触往往受到强烈的费米能级将(FLP)效应降低了肖特基势垒高度的可调谐性(SBH)和降低二维半导体器件的性能。在这里,我们表明,MoSi2N4和WSi2N4 monolayers-an新兴二维半导体家庭特殊物理properties-exhibit stron……»阅读更多

能力/性能:12月6日


可调二维半导体新加坡大学的研究人员技术和设计(SUTD)衡阳师范大学,南京大学,新加坡国立大学,浙江大学发现了一个家族的二维半导体,可以降低阻力,使进一步的扩展。“由于量子隧穿效应,减少了硅晶体管sm……»阅读更多

电力/性能:11月8日


分子记忆电阻从新加坡国立大学的研究人员,印度的培养科学协会,利默里克大学、德州农工大学,惠普企业发现了brain-inspired分子记忆电阻计算。分子使用自然不对称的有机配合债券不同状态之间进行切换,允许它来执行u…»阅读更多

电连接spin-torque振荡器阵列2.4 GHz无线频带传输和能量收获


新加坡国立大学和东北大学的研究人员开发了一种装置,利用spin-torque振荡器(STOs)来获取能量从2.4 ghz无线信号和无线功率LED不需要电池。技术论文链接:文摘”的相互同步spin-torque振荡器(STOs)是至关重要的沟通、能量收获……»阅读更多

电力/性能:7月27日


放大光激光雷达工程师在得克萨斯大学奥斯汀分校和弗吉尼亚大学开发了一个光探测器,可以放大微弱的光信号,降低噪声提高激光雷达的准确性。“自主车辆发送物体反射激光信号告诉你你有多远。不回来,所以如果你的探测器将噪音比th……»阅读更多

制造业:4月20日


碳化硅功率半研发地球日,支持环保,本周4月22日举行。技术环境中起着很大的作用。政府、企业、研发机构和大学正在开发多种处理行业技术。在只有一个例子中,斯旺西大学已获得£480万的政府团结起来……»阅读更多

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