周评:半导体制造、测试


芯片在美国商务部对美国团队叫评选委员会将为非营利性实体选择董事会成员可能会管理国家半导体技术中心(NSTC)。主席成员包括约翰轩尼诗字母;Jason Matheny兰德公司(RAND Corporation)的总裁兼首席执行官;住宅也罗森博格,研究员UCSD的学校……»阅读更多

在下面3 nm和EUV挑战和未知


芯片行业正在准备下一阶段的极端紫外线(EUV)光刻3海里,但挑战和未知继续堆积起来。在研发,供应商正在研究各种新EUV技术,如扫描仪、抗拒和面具。这些将需要达到未来流程节点,但他们更复杂和昂贵的比当前EUV亲……»阅读更多

制造业:6月8日


无掩模的EUV光刻在本周的EUVL车间,2020 KJ创新将更多细节的努力开发一种无掩模的极端紫外线(EUV)光刻技术。还在研发、KJ的无掩模的EUV技术创新涉及到大数值孔径(high-NA)系统有200万个人写梁。0.55 NA技术是针对直写l…»阅读更多

检查、模式EUV掩


半导体工程坐下来讨论光刻和布莱恩Kasprowicz光掩模的趋势,技术总监和策略和一个杰出的成员在光电池的技术人员;托马斯•Scheruebl蔡司战略业务发展和产品战略主管;资深技术专家平Nakayamada NuFlare;和阿基》d2的首席执行官。符合什么……»阅读更多

制造业:2月5日


多波束平落砂多波束电子束光刻应用程序继续进行落砂市场由于技术障碍和其他问题。ASML上周宣布,它已获得的知识产权(IP)资产Mapper光刻,荷兰的多波束电子束光刻工具供应商去年年底陷入破产的应用程序。因为它t…»阅读更多

周评:制造、测试


工厂工具/制造业林研究已经接受了马丁Anstice辞去首席执行官和董事会成员。林已任命总裁兼首席执行官蒂姆·阿彻,立即生效。阿切尔担任Lam的总裁兼首席运营官被任命为董事会。一位分析师提供了一个发表评论的情况。“在我们看来,阿切尔先生非常…»阅读更多

EUV薄膜,正常运行时间和抵制问题继续


极端紫外线(EUV)光刻正在接近实现,但几个问题涉及扫描仪正常运行时间、光阻和薄膜之前需要解决这迟来的技术投入全面生产。英特尔、三星和台积电希望EUV插入生产7和/或5 nm。而其余问题不一定使用EUV先发制人,他们做affec……»阅读更多

调查:EUV乐观增长


极端紫外线置信水平仍然很高(EUV)光刻,虽然插入的时间仍然是一个移动的目标,根据一项新调查发布的eBeam倡议。与此同时,整个光掩模行业前景乐观,据调查。缺点是,然而,似乎没有进展的改善面具turnaro……»阅读更多

女性在工程


我参与过女性在微波对许多年了,从2011年开始与我的主席当时WIM社会小时IMS,直到今年我从未参与的WIM小组会议,扩大社会小时数年前开始。今年在夏威夷,改变当我被邀请参加2017 WIM面板中,“鼓舞人心的未来……»阅读更多

FinFETs之后是什么?


芯片制造商正在为他们的下一代技术基于10 nm和/或7海里finFETs,但它仍然不清楚finFET将持续多久,多久10 nm和7 nm节点将扩展为高端设备,接下来会发生什么。这个行业面临着大量的不确定性和挑战5 nm, 3 nm和超越。即使在今天,传统芯片扩展继续缓慢的过程…»阅读更多

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