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标签:III-V

制造:1月21日
通过马克LaPedus- 1月21日,2020 -评论:0

新高频晶体管的弗劳恩霍夫应用固体物理研究所IAF已经开发了一个新的高频晶体管type——金属氧化物半导体HEMT或MOSHEMT。还在研发,弗劳恩霍夫MOSHEMT达到了创纪录的640 ghz的频率。MOSHEMTs设计100 ghz频率范围及以上。应用包括通信、雷达和sens……»阅读更多

制造业:10月25日
通过马克LaPedus- 10月25日,2016 -评论:0

GaN-on-GaN权力半决赛权力基于氮化镓(GaN)半导体市场的升温。通常情况下,供应商运输设备使用GaN-on-silicon过程。这些设备是可用的阻断电压高达650伏。然而,超越650伏特是有问题的。GaN-on-silicon过程受到晶格不匹配、成本和其他方面的问题。在…»阅读更多

将III-V电力设备发生的?
通过本李- 9月22日,2016 -评论:0

在之前的博文中,我提供了一个审查的整体功率器件市场和趋势驾驶设备演化,需要材料创新的变化。行业作出这样的转变,在成熟的优势,低成本的硅技术必须令人信服和行业都必须实现的东西。现在我想专注于新材料提供竞争……»阅读更多

制造业:7月14日
通过马克LaPedus7月- 14,2015 -评论:0

探索质子23年才进行实验,但物理学家最终提供质子的详细结果。德意志Elektronen-Synchrotron(谜底)组织进行了实验从1992年到2007年在其粒子加速器。实验在谜底的强子电子环形加速器(赫拉),一个electron-proton对撞机。然后,爱…»阅读更多

在IEDM解开的谜团
通过马克LaPedus12月19日,2014 -评论:0

在某些方面,2014年IEEE国际电子设备会议(IEDM)比过去的事件也不例外。本周举行的活动,在旧金山,包括通常的和令人眼花缭乱的教程、会话、论文和面板。在前沿CMOS方面,例如,议题包括[getkc id = " 82 " kc_name = " 2.5 d "] / [getkc id =“42”kc_name =“3 d IC”)芯片,III-V材料,[getkc……»阅读更多

集成电路产业打了一个“红色砖墙”?
通过马克LaPedus——6月19日,2014 -评论:2

在1980年代中期,半导体行业的危机。芯片制造商正在寻找方法来打破魔法1微米的障碍。许多人认为x射线光刻技术将被要求打破屏障,但事实证明,传统的光学技术诀窍。和行业继续前进。之后,在2000年左右,IC行业接近所谓的“红砖墙,”……»阅读更多

隧道场效应晶体管出现在扩展竞赛
通过马克LaPedus11月- 14,2013 -评论:2

传统CMOS比例将继续在可预见的未来,可能到5 nm节点也许之外,根据许多芯片制造商。事实上,芯片制造商已经策划了一个通向5 nm节点,但不用说,沿路的行业面临着众多的挑战。目前,晶体管的主要候选人5 nm是suspects-III-V finFETs;门……»阅读更多

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