标签:提出见解

一个新的记忆的竞争者?
通过马克LaPedus1月- 02年,2018 -评论:1

势头正在建设的一个新类铁电记忆可能会改变下一代记忆的风景。一般来说,铁电体与内存类型称为铁电相关联公羊(弗拉姆号)。几家供应商在1990年代末推出,弗拉姆号是低功耗,非易失性的设备,但他们也限于利基应用程序和无法规模超过130海里。虽然……»阅读更多

NAND闪存市场减速带
通过马克LaPedus- 6月21日,2017 -评论:5

NAND闪存的需求依然强劲,由于数据在系统的冲击,但整体NAND闪存市场是夹在中间的一个具有挑战性的时期受到产品短缺,供应链问题和困难的技术过渡。英特尔、微米、三星、SK海力士和东芝/西部数据组合继续船传统平面NAND闪存市场,但这种工艺……»阅读更多

中国揭开记忆计划
通过马克LaPedus——1月19日,2017 -评论:0

数十亿美元的政府资金的支持,中国在2014年发起了一项重大的行为来推动国内半导体、ic封装等电子行业。不过,到目前为止,结果是喜忧参半。在ic封装中国正在取得进展,但国家的努力推进国内逻辑和内存行业仍然是一个进展中的工作。事实上,中国尚未achi……»阅读更多

解决下一代记忆
通过马克LaPedus- 9月22日,2016 -评论:8

在数据中心和相关环境中,高端系统正在努力跟上日益增长的数据处理需求。在这些系统有几个瓶颈,但一个段,继续受到大量的关注,如果不是责任的一部分,是内存和存储层次结构。[getkc id = " 92 " kc_name =“存储器”],这个层次结构的第一层,是……»阅读更多

NAND的下一步计划是什么?
通过马克LaPedus——5月19日,2016 -评论:2

NAND闪存是一个关键的推动者,在今天的系统,但它是一个困难的业务。NAND闪存供应商需要雄厚的资金和强大的技术生存的竞争格局。展望未来,供应商在若干领域面临新的挑战。在一个方面,例如,整个NAND闪存市场目前处于低迷状态,由于软产品价格和温和的产能过剩。需求……»阅读更多

内存层次结构调整
通过马克LaPedus9月- 16,2015 -评论:0

这已经不是什么秘密,今天的内存芯片和存储设备都在努力跟上日益增长的数据处理需求。为了解决这个问题,芯片制造商一直在几个下一代内存类型。但大多数技术已经推迟或低于他们的承诺。但很多延误后,新一波的下一代非易失性记忆是最后…»阅读更多

3 d NAND闪存市场升温
通过马克LaPedus2月19日,2015 -评论:4

经过一些延迟和不确定性在过去几年里,3 d NAND闪存市场终于升温。在2013年和2014年,三星是唯一供应商参与3 d NAND闪存市场。其他供应商应该船3 d NAND闪存设备在去年卷,但厂商推出他们的生产日期为各种业务和技术方面的原因。进入2015年,[getentity id = " 22865 " e_nam……»阅读更多

3 d NAND倒下的?
通过马克LaPedus- 7月17日,2014 -评论:0

今天的平面NAND闪存技术将在10 nm撞墙,促使需要memory-3D NAND flash的下一件大事。事实上,3 d NAND可能延长NAND闪存在接下来的几年,使新的应用程序。它还将推动新一轮的晶圆厂和工具命令。但不会像以前一样光滑过渡糊涂事。3 d NAND很难制造比公关……»阅读更多

的3 d与非坦途
通过马克LaPedus1月23日,2014 -评论:1

NAND闪存市场是动态的,但有时也可预测的。供应商往往推出相同的NAND闪存芯片,然后规模较小的几何图形。和NAND芯片价格上升和下降,根据供需方程在一个给定的点。展望未来,然而,NAND闪存市场预计将变得不那么可预测,如果不混乱,在一个新的和主要工艺……»阅读更多

3 d NAND之后是什么?
通过马克LaPedus- 9月19日,2013 -评论:0

由马克LaPedus平面NAND闪存在其持续扩展的腿,用3 d NAND将成为无处不在的2 d技术的继承人。举例来说,三星电子已经开始航运行业的首部3 d NAND闪存设备,24-level, 128 -千兆芯片。此外,微米和SK海力士不久将各自的3 d NAND闪存设备。但Toshiba-SanDisk二人瞧……»阅读更多

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