标签:电子束倡议

预测:制造、设备和企业
通过布莱恩•贝利1月18日,2018 -评论:0

一些预测只是一厢情愿,但大多数都是更多的深思熟虑。他们项目需要发生各种市场或产品成为成功。这些深远的预测可能没有完全发生在2018年,但我们给每个人机会注意进展预测在今年年底。(见2017年反思:设计和EDA和男人……»阅读更多

挑战的山光掩模
通过马克LaPedus- 9月21日,2017 -评论:3

半导体工程坐下来与直Hayashi讨论光掩模技术,研究员戴日本印刷(DNP);Banqiu吴,主要技术人员和首席技术官的面具,TSV腐蚀部门[getentity id = " 22817 " e_name =“应用材料公司”);总经理韦斯顿Sousa十字线产品部门(getentity id = " 22876 "共同…»阅读更多

确保芯片生产过程
通过埃德·斯珀林- 07年7月,2016 -评论:0

主席大卫·林多波束,坐下来与半导体工程能谈谈下一代光刻工具可以用来防止网络攻击和伪造的硬件。SE:你怎么进入防伪业务?林:大约三年前我们处理一些客户问题的造假问题。我们意识到的感觉啊……»阅读更多

在幕后Nanoimprint光刻
通过简•威利斯——3月17日,2016 -评论:0

市场营销和业务发展副总裁道格雷斯尼克在佳能纳米技术,谈到为什么买佳能分子印记,收购背后的惊喜,semconductor行业向前发展所面临的问题。[youtube视频= NJTxFu -_6GI]»阅读更多

互补的电子束光刻技术
通过eBeam倡议8月19日,2015 -评论:0

多波束董事长大卫·林看着互补电子束光刻(CEBL)和1 d设计和间距的影响。[youtube视频= nyvplBl4HA4]»阅读更多

技术讨论:晶圆平面分析
通过埃德·斯珀林——7月23日,2015 -评论:0

Leo彭日成,执行副总裁在d2,谈论下面的问题模式的40纳米,以及如何处理它们更有效地使用现有的设备。[youtube视频= FbRyhw2q3fE]»阅读更多

3 d效果在20海里
通过安Mutschler——3月19日,2015 -评论:0

20 nm制程节点下面,衰减相移面具(PSM)光刻过程中使用,从而导致大约70海里的地形。现在必须使用3 d占面具近似。首席执行官阿基》[getentity id = " 22864 "评论=“d2”],解释说,在[getkc id = " 80 "评论=“蚀刻”],使用基于仿真技术的地方,…»阅读更多

技术讨论:摩尔定律
通过埃德·斯珀林3月- 16,2015 -评论:0

首席执行官阿基藤村d2,与半导体工程伸缩装置的技术挑战和功能,每门和经济成本。[youtube视频= hBXtSCRbR64]»阅读更多

技术说:光掩模的挑战
通过马克LaPedus1月- 22,2015 -评论:0

GlobalFoundries鲍勃包与半导体工程商谈新问题所经历过的光掩模商店和光刻技术如何影响一切。(youtube视频= 8 hjwvhazhfc)»阅读更多

我们已经达到临界点仿真面具数据准备
通过阿基》11月- 13,2014 -评论:0

半导体行业以来,mask-data准备面具(MDP)和验证(MV) shape-based:每个形状被视为一个实体本身,如果每个孤立的形状是正确的,面具是正确的。这种情况下独立是常规压裂的关键假设。然而,随着线/空间测量(L: S)低于50 nm, shape-ba……»阅读更多

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