工艺流程的影响,扩展,对互连性能变化


虚拟制造是用来评估的性能互联(线,通过电阻,电容,等等)在球兼容EUV单一暴露或SADP为三个不同的流程:单一的波纹,双波纹和semi-damascene(减去金属腐蚀)。过程变化的影响这三个流也调查确定relativ……»阅读更多

下的覆盖和对齐标记成像使用微微秒激光声测量不透明层


光学不透明材料带来的一系列挑战semi-damascene校准和叠加的过程流或处理后的磁隧道结(MTJ)磁性随机存取存储器(MRAM)。覆盖和对齐模式的模式定义的光刻层和底层设备操作基本在所有多层patterne……»阅读更多

1微米颗粒状花纹的再分配对扇出晶圆级别使用光敏介质材料包装


作者:沃伦·w·弗莱克,罗伯特•谢Ha-Ai Nguyen欧泰克Veeco Zanker路3050号的一个部门,美国加利福尼亚州圣何塞95134(电子邮件保护)塞缪尔·约翰·Slabbekoorn Suhard,安迪·米勒IMEC Kapeldreef 75 b - 3001鲁汶,比利时(电子邮件保护)Akito宏,罗曼Ridremont JSR微NV Technologielaan 8 b - 3001鲁汶,比利时(电子邮件保护)摘要……»阅读更多

可以再改变铜互联?


互连电迁移和电阻率存在严重障碍扩展,正如前面所讨论的那样。在铜波纹的过程,晶粒生长受到的窄沟铜沉积。随着晶粒尺寸的方法电子的平均自由程在铜、电子散射在侧壁和晶界增加,电阻率跳跃。与此同时,增加…»阅读更多

将取代双波纹的什么?


由马克LaPedus在1990年代中期,IBM宣布世界上第一个设备使用铜双波纹的过程。当时,双波纹的生产过程被誉为一个重大突破。启用了新的铜过程集成电路制造商规模小互联设备,与前面的材料,铝,面临一些重大限制。双波纹的依然是主力……»阅读更多

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