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标签:Cerfe实验室

利用非易失性逻辑
通过布来安梅奥- 2021年4月21日-意见:0

研究人员正在开发一种新型的逻辑器件，称为非易失逻辑(NVL)，基于铁电fet。在最近的行业会议上，fefet一直是一个高度感兴趣的话题，但压倒性的焦点一直是在内存阵列中使用它们。然而，存储位单元只是一个可以存储状态的晶体管。这可以在其他应用程序中加以利用。“Non-v…»阅读更多

FeFETs带来希望和挑战
通过布来安梅奥- 2021年2月17日-意见:3

铁电fet (FeFETs)和存储器(FeRAM)在研究界引起了很高的兴趣。基于一种尚未被商业利用的物理机制，他们加入了其他处于不同商业化阶段的有趣的新物理思想。“FeRAM非常有前途，但它就像所有有前途的存储技术一样——需要一段时间才能实现……»阅读更多

周回顾:设计，低功耗
通过杰西·艾伦- 2020年10月9日-评论:0

Arm成立了Cerfe实验室，以开发和授权基于相关电子材料(CeRAM)和铁电晶体管(FeFETs)的新型非易失性存储器。Arm CeRAM的研究人员将加入Cerfe实验室，并承担Arm与Symetrix公司联合开发项目的所有权。在Cerfe实验室:Spin-On内存中阅读更多关于新公司及其技术的信息。工具和IP…»阅读更多

Cerfe实验室:自旋存储器
通过埃德·斯珀林- 2020年10月5日-评论:0

Arm剥离了一个更有趣的半导体研究项目，一种新的非易失性存储器类型，称为相关电子材料RAM (CeRAM)，它有可能大幅降低从边缘设备到高性能计算的所有内存成本。由两位前Arm Research内部人士领导——Eric Hennenhoefer，他将担任首席执行官，Greg Yeric将担任首席执行官。»阅读更多

一周回顾:制造，测试
通过马克LaPedus- 2020年10月2日-评论:0

芯片制造商和原始设备制造商NXP宣布其位于亚利桑那州钱德勒的150毫米(6英寸)RF氮化镓(GaN)工厂盛大开幕。据称，这是美国最先进的5G射频功率放大器专用晶圆厂。恩智浦位于钱德勒的新GaN fab现已获得资格，初步产品将投入市场，预计到2020年底将达到满负荷生产。GaN, III-V技术…»阅读更多

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