标签:3 d与非

覆盖如何与EUV图案保持同步
通过劳拉·彼得斯- 2022年8月9日-评论

覆盖计量工具提高精度，同时提供可接受的吞吐量，解决日益复杂的设备的竞争需求。在一场永无止境的竞争中，领先设备的产品覆盖公差正在迅速缩小。对于3nm一代(22nm金属间距)器件来说，它们都在个位数纳米范围内。新的覆盖目标，机器学习，和im…»阅读更多

利用机器学习提高产量
通过劳拉·彼得斯- 2022年7月12日-意见:0

机器学习在半导体制造业中正变得越来越有价值，它被用于提高良率和吞吐量。这在数据集有噪声的过程控制中尤其重要。神经网络可以识别超出人类能力的模式，或者更快地进行分类。因此，它们被部署在各种制造过程中……»阅读更多

保持IC封装的低温
通过劳拉·彼得斯和凯伦·海曼- 2022年6月7日-评论:0

将多个芯片并排放置在一个封装中可以缓解热问题，但随着公司进一步研究芯片堆叠和更密集的封装以提高性能和降低功耗，他们正在努力解决一系列与热相关的新问题。向先进封装的转变使芯片制造商能够满足对提高带宽、时钟速度和功率密度的需求，以实现高性能…»阅读更多

利用ClF3 /H2远程等离子体在氧化硅上选择性蚀刻氮化硅
通过技术文件链接- 2022年4月18日-意见:0

成均馆大学、麻省理工学院和其他研究人员提出了一种选择性蚀刻的选择。摘要:“在氧化物/氮化物堆栈中，精确和选择性地去除氧化硅(SiOy)上的氮化硅(SiNx)对于当前三维非与型闪存制造工艺至关重要。本文研究了SiNx在SiOy上的快速选择性各向同性刻蚀。»阅读更多

一周回顾:制造，测试
通过琳达·克里斯坦森- 2022年4月15日-意见:0

光子芯片在欧洲走得更大PhotonDelta，一个合作的光电芯片应用端到端供应链，获得了11亿欧元的有条件资金，为期六年。来自荷兰政府和其他组织的投资“将用于建立200家创业公司，扩大生产规模，为光子芯片创造新的应用程序，并开发基础设施……»阅读更多

关键动作:先进的逻辑器件和CIS受益于使用IRCD计量的应用程序
通过尼克·凯勒- 2022年2月8日-评论

随着3D NAND以提高容量和速度、降低效率和成本的名义继续垂直扩展，保持通道孔关键尺寸(CD)和形状均匀性变得更加具有挑战性。面对不断上升的高宽高比，解决这些挑战需要新的内联无损计量技术来提供实时过程控制。红外致命一击……»阅读更多

使用光谱测量和机器学习的三维多层半导体器件的无损厚度表征
通过技术文件链接- 2022年2月7日-评论:0

摘要:“三维(3D)半导体器件可以通过在垂直方向上扩展集成空间来解决传统二维(2D)器件的局限性。3D非与(NAND)闪存设备是目前商业上最成功的3D半导体设备。它垂直堆叠超过100半导体材料层，以提供更多的存储容量…»阅读更多

展望:DRAM, NAND，下一代内存
通过马克LaPedus- 2021年11月18日-评论:0

Objective Analysis的主管Jim Handy接受了《半导体工程》的采访，谈论了3D NAND、DRAM和下一代内存市场。以下是那次讨论的节选。SE:到目前为止，你如何描述2021年的NAND市场?Handy:所有芯片在2021年都看到了不同寻常的强度，但NAND闪存和DRAM正在做他们通常做的事情，表现出更多的电子性能。»阅读更多

错误越多，记忆越正确
通过布来安梅奥- 2021年11月9日-评论

当任何类型的存储位元变得越来越小时，由于较低的裕度和过程变化，误码率会增加。这可以通过纠错来处理和纠正比特错误，但随着使用更复杂的纠错码(ECC)，它需要更多的硅面积，这反过来又提高了成本。鉴于这种趋势，迫在眉睫的问题是……的成本是否……»阅读更多

单片3D DRAM会出现吗?
通过布来安梅奥- 2021年9月9日-评论

随着DRAM扩展速度放缓，该行业将需要寻找其他方法来继续推动更多、更便宜的内存。逃避平面缩放限制的最常见方法是在建筑中添加第三个维度。有两种方法可以做到这一点。一个是打包的，这已经发生了。第二种是卖骰子到Z轴，这已经是一个…»阅读更多

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