文摘:
“三维(3D)半导体器件可以通过在垂直方向上扩展集成空间来解决传统二维(2D)器件的局限性。3D非与(NAND)闪存设备是目前商业上最成功的3D半导体设备。它垂直堆叠了100多个半导体材料层，提供比2D NAND闪存设备更大的存储容量和更好的能源效率。在3D NAND的制造中，精确的逐层厚度特征对于防止由于不均匀沉积层而产生缺陷器件至关重要。迄今为止，电子显微镜已用于生产设施，通过成像样品的横截面来表征多层半导体器件。然而，由于硅片切割过程的原因，这种方法不适合进行全面检查。在这里，我们提出了一种使用光谱测量和机器学习来表征多层半导体器件厚度的非破坏性方法。对于> 200层氧化物/氮化物多层堆栈，我们表明，每层厚度可以无损地确定，平均约为1.6 Å均方根误差。我们还开发了能够正确分类正常和异常设备的异常值检测模型。这是对超高密度3D NAND闪存设备进行全面检测的重要一步。 It is expected to have a significant impact on the manufacturing of various multilayer and 3D devices.”
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郭贤秀与柳贤秀、成均与赵、水日与金、俊模与杨、佑信与金、中元。(2021)。使用光谱测量和机器学习的三维多层半导体器件的无损厚度表征。2.1.10.37188 / lam.2021.001。
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