苏黎世联邦理工学院的研究人员提供一个新技术论文题为“理解RowHammer减少Wordline电压:下一个实验研究使用真正的DRAM设备。”
抽象(部分)
“这是第一个实验证明在272真正的DRAM芯片降低VPP减少DRAM芯片的RowHammer脆弱性。我们表明,降低VPP 1)增加的数量activate-precharge周期需要诱导RowHammer位翻转高达85.8%,平均7.4%的所有测试芯片和2)降低了RowHammer误比特率达66.9%,平均15.2%的所有测试芯片。同时,减少VPP略有恶化DRAM单元的访问延迟,电荷恢复和数据保留时间在系统级的guardbands名义时间参数为208 272芯片进行测试。我们得出结论,减少VPP是一种很有前途的战略减少DRAM芯片的RowHammer脆弱而无需修改DRAM芯片。”
找到这里的技术论文,演示幻灯片和YouTube说这里(首映式7/19/22)。
v1 arXiv: 2206.09999
作者:a . Giray YağlıkcıHaocong罗,Geraldo f·德·奥利维拉,Ataberk Olgun, Minesh Patel Jisung公园,哈桑哈桑,杰雷米金,路易斯Orosa,偏向Mutlu。
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