看一下设计和可靠性验证28 nm时代面临的挑战。
电源和信号线路电迁移可靠性设计和验证28 nm-era面临的挑战
可靠性验证设计和开发的一个重要方面集成电路来保证其持续的运作多年的生产使用。可靠性验证的一个关键领域是电迁移(EM)检查分析,确保电线和通过用于连接各种设备的芯片不失败从多年的连续使用。EM可以导致打开(断丝)或短裤(从运动的金属从一线接触另一个)在金属/通过互联。这些金属线,通过使用连接设备供应电力和地面或一个设备的输出连接到另一个的输入。
半导体制造公司提供指导方针,最大允许电流通过一个特定类型的导线(或通过/联系)在一个特定的温度,或者也称为“EM限制”,这是定义在设计规则手册(DRM)或编码直接在工艺文件(如iRCX)。通常,黑色的方程是用来预测的平均失效到达时间(MTTF)互联在集成电路测试设备在压力条件下如极端PVT(过程、电压、温度)和操作(电流密度)的条件。这种压力测试的结果外推到在真实条件下设备的预期寿命。通过模拟设计和验证电源和信号线路的电流不超过这些铸造指定的限制,确保互联,因此所需的设计本身将满足MTTF限制。
这个白皮书提供了深入研究EM电力和信号完整性分析。首先概述了各种流程和设计趋势增加电磁诱导失败的可能性在一个设计。然后看着传统EM完整性和验证技术对比那些有什么需要先进的流程节点。本文还将提供电源和信号线EM分析细节使用Apache的红鹰和图腾平台能力,噪音和可靠性分析。
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