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在半导体减少存储器BiST插入时间由6 x Tessent分层流

深入了解设计测试。

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本文描述了一个案例研究在半导体存储器BiST的插入一个数百万门电路级网表有300内存的实例。物理实现将使用一个平面布局。两种不同的方法可以应用在物理实现;分层或fullflat。当执行物理实现full-flat流,通常DFT方法也遵循相同的决定。因此,DFT是要插入一次整个门电路级设计。

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