钴和铜有什么不同，为什么它很重要。
在集成电路中，互连电阻是导线电阻和通径电阻的组合。导体的电阻取决于几个因素，其中一个因素是电子在不同表面和晶界的散射。另一方面，通道电阻是电流必须通过的通道底部各层厚度或电阻率的函数。
这个15nm临界尺寸(CD)双大马士革结构的比较动画说明了电子如何通过铜(Cu)遇到大量的晶界和表面，导致散射和更高的电阻。当CDs的比例低于铜的平均自由程(39nm)时，电子散射增加，这导致铜线电阻上升。此外，铜互连需要衬垫和阻挡层，减少铜的体积，导致更高的通径电阻。
相比之下，钴(Co)较低的平均自由程导致更少的电子散射，从而在cd接近10nm至12nm时产生更好的电阻缩放。此外，Co互连只需要一个1nm厚的阻挡膜，从而最大限度地减少通过电阻。
Co的低电阻使信号传播更快，距离更远。在动画中的赛车类比中，这表示Cu车完成了三圈，而Co车在同一时间内完成了四圈，因此在给定的功率下行驶得更快更远。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
不确定更小的平均自由程是否有助于更好的导电性，这真的没有意义。平均自由程由散射决定。我认为Co带来的优势是由于更多的镜面表面/界面反射，Fuchs散射更少。
我的理解是，较小的平均自由程有助于“结构尺寸缩小时，整体阻力增加较小”。它并没有使导电性更好，但使它不那么差。
但这意味着开始时的导电性会更差，使用Co没有任何优势，除非主要贡献者是缺乏衬管。