大量的铸造空间建立在过去的五年里将会转化为28 nm。
功率、性能和尺寸是关键目标,使物联网的预期爆炸(物联网)。
今天,大多数观察家看到的路径,直接通过运行16/14nm finFET下面为节点的能力,管理能力和规模,提高集成。
杰夫•李不是你想象中的普普通通的观察者。副总裁和总经理的飞思卡尔单片机业务看到一个不同的路上已经开放。
“28 nm就是我们感觉丰富的混合信号集成,该节点的寿命将允许我们创建这些产品,”李说。
褪了色的光泽?不太
什么?28 nm ?我们还没有搬在很久以前从28日吗?不是28纳米工艺nodes-yesterday金·卡戴珊的东西?
没那么快,李指出,主题节奏的混合信号技术峰会(10月10日)。
28 nm节点的投资在过去的五年里创造了一个具有成本效益的情况,健壮的技术是现成的选项系统设计师看边缘节点设备吝啬的功率要求但性能和寿命的要求。
在40 nm节点为这些目的只是有点太笨拙,但从40增加到28日成本不是失控。(与此同时,成本20、16和14 nm finFET节点“从规模,”李说)。
李告诉观众:
“在我们看来,从用户方面,大量的工厂空间,特别是在40和28能力建立在过去5年主要设备安装到后一代300毫米设施将被转换成28 nm。我们看到一个巨大的过剩的28 nm未来15年的能力。”
最后一个“简单的”节点
这意味着有一个完美的机会,花时间去开发“丰富的模拟和射频技术”和“有用的时间集成没有节点跳转到下一个流程节点两个三年后,要求整个混合信号系统重做一遍。”
“你可以说28 nm是最后一个简单的节点,“他补充说。
这将使什么?它将使方法(见照片中的附近)的集成模块边缘节点,需要强大的通信协议,防弹耐久性和超低功耗。
处理能力需要呈指数增加,片上内存需要从16 - 20 Kb的上升到300 - 500 Kb,所需的“最低限度”完全安全、Java、网络合规,规格,概要文件和驱动程序,和1 mb的非易失性内存的东西,李说。40和65 nm节点能够这种级别的性能和潜在的集成。
28 nm节点也在MEMS集成得到更多的牵引力。2 x2x利兹,标准人寿展示了一张描述。这是一个完整的32位单片机5毫米模块。以40 ma / Mhz的动态功率,超低备用电源(在深度睡眠到安培),混合信号集成到12位和一个集成温度传感器,可以校准到16位。设备- 60%混合信号将会被至少一个董事会15年前,李说。
毫无疑问,16/14nm finFET edge节点设计和物联网将创造奇迹,但是,作为李可能会说不同,“双鸟在林不如一鸟在手。”
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