爆炸的嵌入式记忆芯片制造商不得不重新考虑制造测试策略。
嵌入式记忆中包含一个SoC的数量持续快速增长。这种增长导致需要重新考虑制造测试策略嵌入记忆代表在大多数情况下死亡的最大贡献者产量损失的非常大的面积和密度这些常规的电路。成功的记忆策略必须包含某种形式的修复方法以达到盈利收益率水平。本文探讨如何制定一个有效的修复方法利用可用内存冗余方案和先进的片上存储器修复功能。记忆修复技术的适应日益广泛使用的电源管理方案还将检查电压和功率群岛等。
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增加复杂性,崩溃,继续功能收缩增加问题;监督不足。
学术界、业界伙伴关系斜坡来诱使大学生硬件工程。
包装和检验公司吸引资金;124年初创公司筹集超过23亿美元。
球继续减少,但是需要新的工具和技术。
埋藏特征和凹角几何图形驱动应用程序特定的计量解决方案。
现有的工具可以用于RISC-V,但他们可能不是最有效或高效。还有什么需要?
行业取得了理解老龄化如何影响可靠性,但更多的变量很难修复。
技术和业务挑战依然存在,但势头正在建设。
Gate-all-around将取代finFET,但它会产生一系列的挑战和未知。
一个处理器的验证是更复杂的比同等规模的ASIC,和RISC-V处理器把这一层复杂性。
新的内存标准增加了巨大的好处,但它仍然是昂贵和复杂。这可能会改变。
该行业似乎认为这是一个真正的目标开放的指令集架构。
高速度和低热量使这个技术至关重要,但它是极其复杂和人才是很难找到和火车。
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