标签:嵌入式内存

SOT-MRAM挑战SRAM
通过布来安梅奥1月- 13,2022 -评论:1

时代新型非易失性存储器(NVM)技术,另一个变化将加入竞争- MRAM的新版本称为在手性力矩,或SOT-MRAM。这个一个特别有趣的是,有一天它可以取代SRAM阵列在systems-on-chip (soc)和其他集成电路。SOT-MRAM技术的关键优势是公关……»阅读更多

高速并行转换器在7/5nm
通过埃德·斯珀林- 02年6月,2020 -评论:0

Synopsys对此Manmeet生活,高级产品营销经理与半导体工程如何优化phy SoC集成在所有四个角落,以及移动大量数据的PPA影响,芯片。»阅读更多

内存IP:鹅卵石基石
通过迈克Gianfagna——7月25日,2019 -评论:0

嵌入式,片上存储器的基本构建块定义和标准芯片了好一阵子。当这一切开始,通常是小的SRAM芯片级内存块辅以DRAM芯片外设备。这些芯片外设备变得更加复杂,具有更高的性能接口(例如,GDDR6)或新形式因素(例如,HBM2 3 d内存堆栈)。片上内存p…»阅读更多

嵌入式相变内存中
通过马克LaPedus——2019年1月24日——评论:3

下一代嵌入式应用程序内存市场正变得越来越拥挤的另一个技术出现arena-embedded相变内存。相变内存并不新鲜,几十年来一直在进行。但这项技术已经不再商业化在技术和成本的挑战。相变内存,一个存储数据的非易失存储器类型……»阅读更多

周评:物联网、安全、汽车
通过杰夫Dorsch- 04年1月,2019 -评论:0

物联网无人机集上个月在英国盖特威克机场被迫取消或转移超过1000次航班三天。而当地警方逮捕了几个被怀疑背后的无人驾驶飞机航班,他们很快被宣布无罪,释放。问题仍在机场应该如何应对这些事件,一定会再次发生,…»阅读更多

理解DRAM
通过埃德·斯珀林12月- 13,2018 -评论:0

产品营销高级经理格雷厄姆·艾伦Synopsys对此,考察了不同类型的DRAM, GDDR HBM,他们用在哪些市场,它们之间存在差距的原因。https://youtu。是/ ynvcPfD2cZU __________________________________看到更多科技在这里视频聊天。»阅读更多

一个新的记忆的竞争者?
通过马克LaPedus1月- 02年,2018 -评论:1

势头正在建设的一个新类铁电记忆可能会改变下一代记忆的风景。一般来说,铁电体与内存类型称为铁电相关联公羊(弗拉姆号)。几家供应商在1990年代末推出,弗拉姆号是低功耗,非易失性的设备,但他们也限于利基应用程序和无法规模超过130海里。虽然……»阅读更多

内部FD-SOI和扩展
通过马克LaPedus- 15,2017 -评论:5

首席技术官加里•巴顿(getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”],与半导体工程讨论FD-SOI坐下,IC缩放、过程技术和其他话题。以下是摘录的谈话。SE:逻辑,GlobalFoundries航运14 nm finFETs 7海里的作品。该公司还准备22纳米FD-SOI技术与12海里FD-SOI……»阅读更多

仔细看看一次性可编程嵌入式存储器
通过查理程- 07年1月,2016 -评论:1

年的第一个月,芯片设计者可能反映在2015年和今年提前思考即将到来的项目。他们想创造一种产品,反映出明天的需要电子设备,包括低功耗、高性能、高安全性。现在,他们正在考虑嵌入式内存,要求所有电子设备。它捕获的信息…»阅读更多

指导节能记忆修复
通过不同的作家2013年12月- 04 -评论:0

嵌入式记忆中包含一个SoC的数量持续快速增长。这种增长导致需要重新考虑制造测试策略嵌入记忆代表在大多数情况下死亡的最大贡献者产量损失的非常大的面积和密度这些常规的电路。成功的记忆策略必须包含某种形式的修复方法啊……»阅读更多

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