如何有效地描述晶体管漏在测试时间最小的批量生产。
的方法估算subthershold MOSFET电流断开状态(我的组件走开)使用低成本、低分辨率的快速并行参数检验。这种方法测量阈下的斜率和用它来估计Ioffs。测量单个晶体管显示测量我之间一个很好的协议走开和我走开使用我们的方法估计。对于简单pad-efficient晶体管阵列测试结构,没有设备可以添加额外的噪音阈下测量,提取我的总和走开数组中所有晶体管阵列测量我有着密不可分的关系走开,尽管它不匹配测量阵列走开。用于获取校准因素的关联度,然后用来估计单个晶体管Ioffs从数组测试结构。这允许晶体管漏的统计特征与最小批量生产时测试时间开销。统计的应用断开的泄漏特性来诊断IDDQ收益率问题在生产过程中也进行了描述。
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