EDA比赛7海里,尽管得病的不确定性

延迟与EUV不阻止任何人推动7海里的设计工具。

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几乎成为痛苦的参考与EUV延迟,但肯定不是阻止任何人在设计方面调整测试芯片设计工具或工作。显然,事情正在推进7海里即使光刻计划还不清楚。

史蒂夫•卡尔森集团营销总监在节奏的首席战略办公室,对EUV说,“他们有能力问题,成为一个吞吐量问题,和有一个正常运行时间之间的时间问题维护他们现在看到的设备。”也被仔细考虑重组需要的整体经济。

即便如此,他说铸造厂的立场是,如果EUV上线与合理的吞吐量,他们会使用它。“7海里你仍然需要做多模式在较低的水平,所以成本不会消失。未来的一个挑战的摩尔定律:我们可以建立东西5或3 nm,但这要花多少钱?光刻的步骤都是基于一个die-image基础,这就是大多数成本。甚至要450 mm晶圆不会减轻。”

“鉴于EUV似乎不太可能,”卡尔森继续说道,“你是坚持多模式。这是我们了解和已经在工作了很长一段时间。当double-patterning 20 nm时,我们已经谈论的是多模式的,因为他们不确定如果只是要double-patterning与否。我们已经知道了五六年了。”

从EDA行业整体的角度来看,7纳米光刻技术的不确定性并不关注至少不是现在。

“不确定性与光刻过程选项意味着EDA公司支持计算光刻市场必须支持发展的可行的选择,”指出Gandharv Bhatara,产品营销经理Calibre制造业在导师图形。“这实际上已经对许多节点,不仅7海里。记得的不确定性交替PSM 40 nm节点?EDA工具开发相当一段时间以来一直运行在并行过程开发。”

集成流提供者,可以肯定地说,所有的EDA供应商都致力于在考虑所有选项的工具7海里——EUV,多模式和DSA。

如同所有的EDA工具,不确定性法术的机会。“我们构建工具,不仅使各种光刻/模式技术,但也允许行业优化设计和制造和实际决策/选择。”

为此,EDA和IP提供商紧密合作与半导体厂,7纳米测试芯片工作已经有大约一年。

伙伴关系与铸造的客户在整个开发周期中启用工具开发在开发tape-outs和生产做好准备,他解释说,已开发和业务模型在每个收缩周期,最近证明在16 nm / 14 nm和10 nm节点。

平的影响7海里
设计基本规则和约束肯定是由光刻的能力。SADP,乐乐(LE)多模式和解决能力,包括源的波长和数值孔径,扮演一个角色在定义设计规则,音高和约束,根据导师的Bhatara。“设计绝对是依赖于过程和计算光刻选择在每个流程节点技术。因此,必须预期和计划的变化。此外,设计在光刻技术的依赖变得越来越重要,我们搬到7 nm节点由于行业开拓创新的设计图案。这也引发了强劲需求过程探索和设计技术开的工具。”

董事总经理Joanne Itow制造业Semico研究,同意光刻都会产生一定的影响。她观察到,英特尔正在准备生活EUV和没有它。“他们将继续哪个选项/可用发射时是必要的。如果EUV不是准备好了,这当然使生活更加困难和昂贵。”

决定不做EUV也将取决于市场情况。“高性能服务器和网络芯片能吸收三倍或四倍模式的额外成本,但实现7纳米低成本手机使用者应用程序可能会看到一些延迟。消费品可以使用相同的过程用新功能更新技术。有很多方法来满足消费者的需要升级他们的智能手机除了每年增加处理器的性能,”她说。

同时,Itow不相信光刻的选择将是一个停止点。“没有EUV设计师可以继续进行。但其余的选择更加昂贵,这意味着产品开发和市场交易量可能是有限的。“真正的挑战是超越5海里。

Bhatara补充说,不确定性模式策略和约束无疑扮演了一个重要的角色在发展中在特定工艺设计基础设施节点,但设计社区和EDA工具提供商似乎继续寻找方法来管理不确定性和风险。“两到三年收缩周期保持同步。7海里会不同吗?延迟设计基础设施开发可能在7海里非常不同的选择在考虑不确定性的EUV部署。”

因此,许多迭代共同改进工作正在开始了最初的假设,将随着技术的更新发展的进展。

导师图形的一部分重点是创建工具,允许工业设计技术共同管理这个过程,这样的选择光刻将不是一个终点,他总结道。

技术上的螺母和螺栓
至于多模式的螺母和螺栓,抑扬顿挫的卡尔森说,问题是你要多模式是什么?什么样的设备?“有候选人的选择被缩小了,这是铸造厂必须说的。”

在其定制业务,节奏人们致力于测试芯片的设计使用公司的定制设计工具,得到更多的生产力的问题,他说。在定制设计环境中,与finFET,“能够自动布局的安排的鳍规定间距,这样你满足所有设计规则的自动是你能做的所有的手动或者你可以有一些自动化。能够得到新的提取元素的工具和能实时到定制设计环境中——这电意识到设计能够获得的所有寄生的信息当你进入模拟。关键生产力增强剂,”他解释道。

“当你选择做一个权衡设计规则来提高生产或更容易的路线设计,然后改变细胞库,引起涟漪通过大量的支持基础设施,”他说。“有一大堆匆忙流逝,但我们实施它在这一点上,我们在20日16日,14日,10岁和7点开始。这不是一个意外的类型我们要争夺,你必须做好准备,因为它会发生。我们将不得不做出改变来调整和优化,以使几何可以带来的最有价值的密度、性能和力量。”

在一天结束的时候,Itow完美地总结。她回忆说,当她加入Semico,该行业在350 nm搬到250海里。“即使当时我听到抱怨EDA不是将跟上90 nm和130 nm。他们设法跟上。”



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