使用mask-forward设计流程将MEMS和电子在一个死。
创建一个基于传感器物联网设备是具有挑战性的,由于涉及多个设计领域。但是,创建一个边缘设备,结合了电子产品使用传统的CMOS集成电路流和MEMS传感器在同一硅死似乎是不可能的。
多年来,坦纳提供了客户交织MEMS设计到这个流程的能力,支持自顶向下的MEMS集成电路流:
物联网优势设计要求模拟信号、数字信号、射频,和MEMS设计领域设计和一起工作,特别是如果他们在相同的死亡。设计团队需要捕获混合模拟和数字,射频,和MEMS设计、布局芯片,并执行组件和顶级模拟。设计电子产品和微机电系统在一个死亡包括这些有趣的点:
传统上,MEMS的设计开始通过创建一个MEMS装置的三维模型,然后分析了在第三方物理特性有限元分析(FEA)工具,直到满意的结果。但是,你需要一个2 d面具为了制造MEMS装置。你怎么得到的2 d面具3 d模型?你遵循的mask-forward流导致successfully-fabricated MEMS装置。
从2 d面具布局来创建设备。三维实体建模师就布局和一套3 d制作流程步骤自动生成三维实体模型的设备。出口,3 d模型和执行3 d分析有限元工具使用您喜欢的,然后如果你发现任何问题进行迭代。进行适当的更改的2 d面具布局,然后重复流。使用这个mask-forward设计流程,可以聚集在一个工作制造MEMS设备因为你是直接创造面具,最终将被用于制造,而不是努力向后从3 d模型。
融合互补金属氧化物半导体电子与MEMS设备在同一个集成电路是一个复杂的过程,需要一个解决方案,确保IC在现实条件下正常工作。结合mask-forward MEMS集成坦纳设计集成电路内流流有助于确保成功,多域物联网边缘设备的设计。
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