高度chemoselective沉积贵金属与半导体nanoheterostructures强烈偏好碲化镉和锌的轻硫属化合物。
文摘
“我们现在一个高度chemoselective沉积贵金属与半导体nanoheterostructures强烈偏好碲化镉和锌的轻硫属化合物。选择性是由p型表面陷阱碲化,而n型缺陷的同源硫化物和硒化物,可以关闭粒子表面钝化。结果给洞察半导体纳米晶体表面缺陷的性质和作用。许多的快速形成,小金属种子会导致聚合粒子成星形或分支的上层建筑,离开其余的半导体表面暴露出来。它提供了一种制备路线走向复杂,然而定义良好的半导体金属混合结构在光催化与潜在应用。”
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萨特,塞巴斯蒂安,et al。”Chemoselective表面Trap-Mediated金属半导体纳米晶体生长。“材料化学,2022年1月25日,https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.1c04010。
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