英特尔宣布与ARM达成10nm和IP协议。
随着英特尔在年会上公布了10nm技术，10nm工艺和代工竞赛正在白热化。
作为多管齐下的声明的一部分，英特尔的代工部门与ARM建立了重要的合作伙伴关系。具体来说，ARM将在英特尔的10nm工艺上提供其物理知识产权(IP)。英特尔将为代工客户提供IP。
最重要的是，英特尔定制代工宣布了两个新客户——lg电子和展讯。
与此同时，在工艺技术方面，英特尔披露了其10nm工艺的一些细节，该工艺基于其finFET晶体管的缩小版。英特尔没有透露这项技术的规格，尽管该公司坚称，它在10nm技术上仍领先于竞争对手。
事实上，台积电和三星正在分别准备各自的10nm finFET工艺。三星希望在年底前进入10纳米的生产阶段。与此同时，台积电计划在2017年第一季度提高技术水平，预计2018年将推出7nm工艺。
代工客户很快就会在这些节点上有一些新的但令人困惑的选择。首先，10nm和7nm之间存在一些混淆。
“并不是所有的10nm技术都是一样的，”英特尔工艺架构与集成高级研究员兼总监马克·波尔说，在最近的一次采访中．“现在越来越清楚的是，其他公司所说的‘10nm’技术将不会像英特尔的10nm技术那样密集。我们预计，其他人所说的‘7nm’技术在密度上将接近英特尔的10nm技术。”
英特尔计划保持传统的门间距缩放曲线，而其他公司则倾向于采用玻尔所说的“更宽松的门间距”。波尔在旧金山举行的英特尔开发者论坛(IDF)的新闻发布会上说，这反过来又“给了英特尔密度优势”。
不久前，英特尔重申其2016年资本支出预算为95亿美元，上下浮动5亿美元。与此同时，台积电提高了今年的资本支出预算。太平洋皇冠证券(Pacific Crest Securities)分析师Weston Twigg在最近的一份报告中表示，“总体而言，对进入2016年下半年的设备公司来说，需求环境良好，主要由强劲的3D NAND和10nm逻辑/代工活动主导”，在整个内存和代工领域。
另外，ARM和Intel Custom Foundry宣布了一项协议，将加速ARM在Intel 10nm工艺上的IP开发。物理IP涉及ARM的POP技术。最初的POP IP将涉及两个未来的ARM Cortex-A处理器核心。它涉及到ARM大。少技术或独立配置。ARM的IP开发已经在进行中，从2017年开始，ARM的物理IP将用于支持设计。
据英特尔技术与制造集团副总裁兼英特尔定制代工联席总经理Zane Ball表示，此举是英特尔在代工领域扩展其第三方EDA工具和IP的持续努力的一部分。Ball在一份报告中表示:“在我们的投资组合中拥有领先的IP提供商将加快生态系统的准备工作，同时为我们的客户提供更大的灵活性和上市时间优势。英特尔网站上的博客文章．
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