标签:过渡金属dichalcogenides

系统:10月11日
通过埃德·斯珀林10月- 11,2016 -评论:0

碳是2015麻省理工学院的研究人员创造了一个超级电容器,依赖于碳以外的材料。这个新类的材料,称为有机框架(mof),是一种多孔海绵样的,根据麻省理工学院,tthereby提供一个更大的比表面积碳。在大多数情况下电,更多的表面积对超导体至关重要。再保险的问题……»阅读更多

电力/性能:5月24日
通过杰西·艾伦2016年5月- 24 -评论:0

减少MRAM芯片面积东北大学的研究人员开发出一种技术堆栈磁隧道结(MTJ)通过没有直接导致恶化其电/磁特性。团队专注于减少存储单元面积自旋转矩磁随机存取存储器(STT-MRAM)为了降低制造成本,使他们更补偿……»阅读更多

制造业:2月16日
通过马克LaPedus2016年2月- 16(-评论:0

一氧化碳芯片二维(2 d)材料研发实验室中日益活跃。二维材料可以使一个新类的场效应晶体管(fet),但是技术预计不会出现直到未来十年内的某一时刻。二维材料包括石墨烯、氮化硼和过渡金属dichalcogenides (tmd)。TMD,钼联硒化物(监理),获得了国际米兰……»阅读更多

一对一:亚伦中国农历新年庆祝活动之前更换灯笼内
通过马克LaPedus1月- 22,2015 -评论:0

半导体工程坐下来讨论过程技术,晶体管的趋势和其他主题与亚伦中国农历新年庆祝活动之前更换灯笼内的副总裁过程技术和逻辑在Imec设备研发项目的主任。SE:芯片制造商增加16 nm / 14纳米的逻辑节点,在研发10 nm和7海里。当前的时间表10 nm和7海里?中国农历新年庆祝活动之前更换灯笼内:10纳米。我们将看到r……»阅读更多

原子层蚀刻终于出现了
通过马克LaPedus——5月15日,2014 -评论:1

迁移对finFETs 20 nm节点和其他设备,除了需要一个新的数组芯片技术。多个模式,混合计量和新奇的互连方案所需的只是几个技术未来的扩展。此外,行业还需要新的技术,可以处理结构在原子水平。例如……»阅读更多

系统:5月6日
通过安Mutschler2014年5月- 06 -评论:0

非线性光学共振驱动开发超微和超快电子设备使用一个原子层的半导体,如过渡金属dichalcogenides,获得了显著的推动作用。与伯克利实验室的研究人员记录的第一个观察强非线性光学共振在一层二硫化钼的边缘。存在……»阅读更多

制造:1月14日
通过马克LaPedus1月- 14,2014 -评论:0

二硫化钼场效应晶体管的二维材料研发实验室中日益活跃。包括石墨烯二维材料,氮化硼(BN)和过渡金属dichalcogenides (tmd)。一个TMD、钼联硒化物(监理),是一个有吸引力的材料用于未来的场效应晶体管(fet)。二硫化钼有几个属性,包括一个非零带隙、原子尺度厚度和原始int……»阅读更多

制造:1月7日
通过马克LaPedus- 07年1月,2014 -评论:0

爬终结者机器人西蒙弗雷泽大学开发了一个家庭的攀爬机器人模仿壁虎的粘性蜥蜴脚。基于“拦路强盗终结者”胶技术,机器人可用于太空任务和在地球上。爬墙机器人,叫Abigaille,六条腿的特性。这允许机器人爬行在垂直和水平结构。电子…»阅读更多

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