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标签:子分辨率辅助功能

人工智能、芯片和面具的下一步是什么
通过马克LaPedus- 2020年11月19日-评论:0

D2S首席执行官Aki Fujimura接受了Semiconductor Engineering的采访，谈论了AI和摩尔定律、光刻和掩模技术。以下是那次谈话的节选。SE:在eBeam Initiative最近的照明调查中，参与者对掩模市场的前景有一些有趣的观察。这些观察结果是什么?Fujimur……»阅读更多

EUV掩模缺口和问题
通过马克LaPedus- 2019年5月8日-评论

《半导体工程》杂志坐下来与Imec技术人员的主要成员Emily Gallagher讨论了极紫外(EUV)光刻和掩模技术;哈里·莱文森(Harry Levinson)， HJL Lithography的负责人;ASML先进技术开发副总裁Chris Spence;应用材料公司工艺开发高级总监Banqiu Wu;还有藤村昭，首席……»阅读更多

多波束掩模书写终于成熟了
通过马克LaPedus- 2018年11月15日-评论:0

IMS纳米制造的首席执行官Elmar Platzgummer与Semiconductor Engineering坐下来讨论掩模和掩模写入趋势。IMS是英特尔的子公司，是用于掩模生产的多光束电子束系统的供应商。以下是那次谈话的节选。SE:多年来，掩模制造商一直在使用单束电子束工具在…»阅读更多

正在出现新的模式选项
通过马克LaPedus- 2018年4月19日-评论

随着向10/7nm及以上新器件的转变，几家晶圆厂工具供应商正在推出下一波自对准制模技术。应用材料、Lam Research和TEL正在开发基于各种新方法的自对准技术。最新的方法包括多色材料方案的自对齐图案技术，这是为我们设计的…»阅读更多

与Fab周期作斗争
通过马克LaPedus- 2017年2月16日-评论:8

从平面器件到finfet的转变使芯片制造商能够扩展他们的工艺和器件，从16nm/14nm甚至更远，但该行业在每个节点都面临着几个挑战。成本和技术问题是显而易见的挑战。此外，周期时间——芯片规模方程中一个关键但较少被公开的部分——也在不断增加，这给芯片制造商和……»阅读更多

逆光刻发生了什么?
通过马克LaPedus- 2016年10月20日-评论:2

近10年前，该行业推出了一种潜在的颠覆性技术，称为反向光刻技术(ILT)。但ILT是领先于它的时代，导致行业推出该技术，并将其降级为面向利基的应用。然而今天，随着半导体行业向7纳米甚至更远的方向发展，ILT又得到了新的关注。ILT不是下一代…»阅读更多

驯服面具计量学
通过马克LaPedus- 2015年10月22日-评论:0

多年来，集成电路行业一直担心掩模的一系列问题。掩模成本是最受关注的问题，但掩模复杂性、写入时间和缺陷检查是光学和EUV掩模的其他关键问题。现在，口罩计量学，即测量口罩上关键参数的科学，正在成为一个新的挑战。在这方面，口罩制造商担心的是这位评论家……»阅读更多

光照对基于模型的SRAF布局的影响
通过不同的作家- 2014年2月19日-评论

子分辨率辅助特征(SRAFs)与离轴照明一起被广泛用于提高隔离和半隔离特征的处理纬度。这些SRAF通常是根据分配全局SRAF大小和接近目标形状的规则插入的。附加规则管理辅助功能之间的关系，对于随机日志…»阅读更多

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