标签:STT-MRAM

一个紧凑的可伸缩MTJ仿真模型
通过技术论文链接8月24日,2021 -评论:0

阅读完整的技术论文。6月9日,2021年出版。摘要提出了一种基于物理建模框架的分析和瞬态模拟电路包含自旋扭矩(STT)磁隧道结(MTJ)设备。框架提供的工具来分析随机行为mtj和生成Verilog-A紧凑模型模拟在守护神…»阅读更多

小说记忆测试系统与电磁铁STT-MRAM测试
通过效果显著2021年5月- 11 -评论:0

第一次,我们已经成功地开发了一个新的内存测试系统在wafer-level STT-MRAM电磁铁结合记忆测试系统和300毫米晶圆探测器。发达记忆测试的系统,一个平面外磁场达到±800吨可以应用在10 x 10平方毫米300毫米晶圆与分布的不到2.5%。我们证明了electroma…»阅读更多

MRAM在多个方向发展
通过布来安梅奥2021年3月- 11 -评论:1

磁阻的随机存取存储器(MRAM)是为数不多的几个新的非易失性内存技术针对广泛的商业可用性,但设计MRAM芯片和系统不是简单地添加其他类型的内存。MRAM不是all-things-for-all-applications技术。需要调整的目的。mram针对flash也不针对sram,和副更小……»阅读更多

制造业:2月2日
通过马克LaPedus2021年2月- 02(-评论:0

Capacitor-less DRAM在最近的2020年国际会议(IEDM)电子设备,Imec发表了一篇论文在小说Capacitor-less DRAM单元体系结构。DRAM是主要用于记忆系统和当今最先进的设备是基于大约18到15 nm流程。DRAM的物理限制是大约10纳米。DRAM本身是基于有关晶体管,one-capacito……»阅读更多

更多的数据,更Memory-Scaling问题
通过布来安梅奥1月- 14,2021 -评论:0

所有类型的记忆正面临压力,要求增加更大的容量,更低的成本,更快的速度,降低权力每天处理新数据产生的冲击。是否行之有效的记忆类型或新方法,需要继续保持缩放前进随着我们对内存的需求增长速度加速。“数据的新经济…»阅读更多

DRAM, 3 d NAND面临新的挑战
通过马克LaPedus- 9月21日,2020 -评论:1

这是一个颠倒的内存市场的过程中,这并不是结束。2020年迄今,需求略好于预期的两个主要的内存类型——3 d NAND和DRAM。但是现在有一些市场的不确定性在放缓,库存问题和一个正在进行的贸易战争。此外,3 d NAND闪存市场正朝着新技术一代,但有些enc…»阅读更多

制造业:7月21日
通过马克LaPedus- 7月21日,2020 -评论:1

英特尔的下一代MRAM在最近2020年座谈会在VLSI技术和电路,因特尔发表了一篇论文在CMOS-compatible在手性力矩MRAM (SOT-MRAM)设备。还在研发、SOT-MRAM下一代MRAM是为了取代SRAM。一般来说,处理器集成CPU、存储器和各种各样的其他功能。SRAM存储所需的指令迅速processo……»阅读更多

原子层腐蚀扩展到新的市场
通过马克LaPedus- 7月16日,2020 -评论:0

半导体行业正在开发应用程序的下一波原子层腐蚀(ALE),希望在一些新的和新兴市场立足。啤酒,下一代蚀刻技术,消除了材料在原子尺度,是一些工具用于处理先进的设备在一个工厂。啤酒进入生产选择应用程序大约在2016年,尽管技术……»阅读更多

神经形态计算驱动新兴记忆的景观人工智能出类拔萃
通过Synopsys对此- 03年6月,2020 -评论:0

深的速度机器学习和人工智能(AI)是改变世界的计算各级的硬件架构、软件、芯片制造、包装和系统。两个主要的发展打开了门实现机器学习的新技术。首先,大量的数据,即。“大数据”,可用于系统的过程。第二,先进……»阅读更多

制造业:4月21日
通过马克LaPedus- 4月21日,2020 -评论:0

记忆电阻器再现马萨诸塞大学阿默斯特迈出了一步的神经形态计算的实现,设计了基于蛋白质纳米线bio-voltage记忆电阻器。在神经形态计算,这个想法是为了让记忆更接近加速系统的处理任务。为此,该行业正试图复制大脑硅。我们的目标是……»阅读更多

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