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标签:推断统计学

变化在先进制造麻烦包
通过埃德·斯珀林- 6月16日,2022 -评论:2

变化是越来越有问题的芯片设计变得更加异构和应用程序的目标,很难确定问题的根源或预测可能出错,当什么。变化的担忧通常仅限于最先进的节点,晶体管密度最高,生产过程仍在fine-t……»阅读更多

短缺引发新的组件生命周期解决方案
通过劳拉·彼得斯——5月19日,2022 -评论:0

半导体行业的供应链问题促使一些创新的解决方案和解决方法,虽然他们不解决所有的问题,他们是提高效率和延长设备寿命。短缺,影响从汽车中使用的芯片,物联网,消费者ICs使用的设备制造和测试——跨越全球供应链。T…»阅读更多

ASD的过程进行了原位蚀刻室
通过技术论文链接2022年5月- 06 -评论:0

新的研究论文题为“Plasma-based区域选择性沉积减少极端紫外线抵制defectivity和过程改进窗”从电话技术中心,美洲和IBM的研究。文摘:“极端紫外线(EUV)光刻技术克服了重大挑战的逻辑扩展成为一个基本前提的路线图。然而,它仍然受限于stocha……»阅读更多

更快的收益率坡道策略5 nm芯片
通过劳拉·彼得斯4月- 12,2022 -评论:0

主要芯片制造商台积电和三星在高容量生产5纳米设备生产和台积电它正在稳步推进计划年底前前3纳米硅。但以满足这种积极的目标,工程师必须确定缺陷和斜坡产生的速度比以前更快了。对付EUV随机缺陷——无重复模式的缺陷,如微桥断了线,或失踪……»阅读更多

准备High-NA EUV
通过马克LaPedus10月- 21,2021 -评论:2

半导体行业正在开发high-NA EUV全速前进,但抚养下一代光刻系统和相关基础设施仍然是一个巨大的和昂贵的任务。ASML发展其大数值孔径(high-NA) EUV光刻线有一段时间了。基本上,high-NA EUV扫描仪是今天的EUV光刻系统的后续……»阅读更多

发现,预测EUV随机缺陷
通过马克LaPedus- 6月17日,2021 -评论:0

一些厂商推出下一代检验系统和软件,定位有问题的芯片缺陷引起的在极端紫外线(EUV)光刻过程。每个缺陷检测技术包括各种权衡。但必须使用一个或多个他们的工厂。最终,这些所谓的stochastic-induced缺陷引起的EUV可以影响性能…»阅读更多

极端质量半导体制造
通过本蔡- 11年2月,2020 -评论:0

本蔡和凯蒂佩里沙利文在半导体器件的各种类型和设计节点,有动力生产的芯片质量显著提高。汽车、物联网和其他工业应用需要芯片实现高可靠性在很长一段时间,和一些芯片必须保持可靠的性能,同时操作在一个环境……»阅读更多

更多的光刻/面具的挑战(第1部分)
通过马克LaPedus3月- 15,2018 -评论:2

半导体工程坐下来讨论光刻和格里高利·麦金太尔光掩模技术,先进模式部门主任(getentity id = " 22217 " e_name =“Imec”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);董事总经理Regina释放模式技术[getentity id = "……»阅读更多

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