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在天然硅金属氧化物半导体器件中静电约束的单孔自旋轨道量子比特


一篇题为“在天然硅中增强相干性的单孔自旋”的新技术论文由Université格勒诺布尔阿尔卑斯、CEA、LETI和CNRS的研究人员发表。摘要:“基于自旋轨道状态的半导体自旋量子比特对电场激励有响应,允许实现实用、快速和潜在可扩展的量子比特控制。然而,自旋电磁化率…»阅读更多

自旋量子比特跨越表面编码阈值的量子逻辑


代尔夫特理工大学QuTech的新研究论文。“量子比特的高保真控制对于量子算法的可靠执行和实现容错是至关重要的,容错是指在错误发生之前更快地纠正错误的能力。容错的核心要求是用错误阈值来表示的。然而实际的阈值取决于…»阅读更多

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