标签:学报

硅硬掩模材料中的缺陷缓解与表征
通过布鲁尔科学- 2021年3月17日-意见:0

来自SPIE数字图书馆:在这项研究中，监测了Si- HMs的金属污染物、液体颗粒计数和晶片缺陷以及过滤去除率，以确定过滤器类型、孔径、介质形态和清洁度对过滤性能的影响。在本研究中使用的具有专有表面处理的5纳米PTFE NTD2过滤器显示最低的缺陷计数。作者:Vineet……»阅读更多

制造位:3月8日
通过马克LaPedus- 2021年3月8日-评论:0

在最近的SPIE高级光刻大会上，尼康公司介绍了一种双光束极紫外(EUV)光刻技术。尼康的EUV投影光学晶圆曝光机(EUV Power Machine)仍处于概念阶段，是为1nm左右的节点设计的。该系统的线分辨率最低为10nm。»阅读更多

生产时间:3月2日
通过马克LaPedus- 2021年3月2日-评论:0

在最近的SPIE高级光刻会议上，Imec、Infinitesima和其他公司介绍了一种新的测量工具技术，称为快速探针显微镜(RPM)。Infinitesima推出首款RPM 3D系统，为前沿芯片提供三维(3D)计量应用。该系统是与Imec联合开发的。在IEDM论文中，Imec和Infinitesima…»阅读更多

一周回顾:制造，测试
通过马克LaPedus- 2021年2月26日-评论:0

芯片制造商和原始设备制造商几家芯片制造商在德克萨斯州的晶圆厂连续第二周没有恢复生产。此前，一场大型冬季风暴导致电力中断。据报道，一场严重的冬季风暴袭击了美国许多地区，包括德克萨斯州。上周，公用事业供应商开始优先为德克萨斯州奥斯汀的居民区提供服务。因此，电力和……»阅读更多

一周回顾:制造，测试
通过马克LaPedus- 2020年12月31日-评论:0

芯片制造商和原始设备制造商Third Point(一家对冲基金)发布了一封信，称英特尔需要探索其战略替代方案。这包括拆分这家芯片巨头。雅虎和其他媒体获得的信中说，英特尔需要决定“是否应该继续作为集成设备制造商”，并应该剥离某些失败的收购。这是另一种坐姿分析……»阅读更多

新颖的蚀刻技术利用原子层工艺先进的图案
通过电话- 2020年12月17日-评论:0

我们展示了高选择性和各向异性的Si3N4和SiC等离子体蚀刻。所演示的过程包括一系列的离子改性和化学干燥去除步骤。H离子修饰的Si3N4腐蚀对SiO2和SiC薄膜具有较高的选择性。此外，我们还开发了氮离子改性SiC的选择性蚀刻技术。另一方面，在模版蚀刻过程中，…»阅读更多

使用点过滤改善EUV底层涂层缺陷
通过布鲁尔科学- 2020年11月18日-评论:0

作者:Aiwen Wu (entgris, Inc. -美国)、Hareen Bayana (entgris GmbH -德国)、Philippe Foubert (imec -比利时)、Andrea Chacko和Douglas Guererro (Brewer Science, Inc. -美国)。本文介绍了利用不同过滤参数的努力，包括保留等级和膜材料，以了解它们对EUV底层涂层防御的影响。»阅读更多

7/5/3nm的虚拟制造
通过埃德·斯珀林- 2020年10月23日-评论:0

Lam Research的计算产品副总裁David Fried深入研究了最先进节点上的虚拟制造，如何在新节点上使用不成熟的过程创建模型，以及如何将来自多个不同孤岛的数据融合在一起。»阅读更多

制造比特:10月6日
通过马克LaPedus- 2020年10月6日-评论:0

一组研究人员发表了一篇关于用于高na极紫外(EUV)光刻的掩模吸收材料权衡的新论文。在论文中，研究人员得出结论，该行业可能需要一种用于高数值孔径(高na) EUV光刻的替代掩模吸收器堆栈。夫琅和费，Imec, ASML和蔡司贡献了…»阅读更多

用于高温加工的平面化自旋碳材料的研制
通过布鲁尔科学- 2020年8月20日-评论:0

多层光刻技术被用于先进的半导体工艺，以形成复杂结构的图案。随着越来越多的程序纳入高温工艺，如化学气相沉积(CVD)，对热稳定材料的需求增加。对于某些应用，CVD层下的自旋碳(SOC)层需要在高温过程中存活. ...»阅读更多

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