标签:量子阱finFETs

晶体管的选择缩小7海里
通过马克LaPedus11月- 13,2014 -评论:0

芯片制造商目前正在加大硅finFETs 16 nm / 14 nm节点,计划规模相同的技术到10纳米。现在,该行业关注的晶体管选项7海里。有一段时间,几个下一代晶体管类型涉及的主要竞争者。目前,行业缩小选项和一个技术是一个令人惊讶的lea……»阅读更多

一对一:马克波尔
通过马克LaPedus- 9月18日,2014 -评论:1

半导体工程坐下来讨论过程技术,晶体管的趋势,芯片封装和其他主题的马克•波尔高级研究员和英特尔的流程架构和集成主管。SE:英特尔公司最近推出了新14 nm芯片基于其过程。你能简要描述14 nm过程?玻尔:这是我们的第二代,三栅极的技术。所以它有阿尔……»阅读更多

7和5 nm真的会发生吗?
通过马克LaPedus——6月19日,2014 -评论:11

作为领先的芯片制造商继续增加其28 nm和20 nm制程设备,供应商也在更新他们的未来技术路线图。事实上,IC制造商正在谈论他们的新装运时间表10纳米。GlobalFoundries,英特尔、三星和台积电是缩小选项7海里,5 nm和超越。有一个高概率,IC制造商可以扩展到10纳米,但供应商面临…»阅读更多

寻找下一个晶体管
通过马克LaPedus2014年2月- 20(-评论:3

在短期内,尖端芯片路线图看起来相当清楚。基于今天的finFETs和芯片平面完全耗尽的绝缘体(FDSOI)技术将缩小到10 nm节点。但是,CMOS路线图变得雾蒙蒙的7海里。这个行业一直在探索新一代晶体管候选人,但突然,一些技术……»阅读更多

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